[实用新型]具有高出光率的发光二极管有效

专利信息
申请号: 201520269870.9 申请日: 2015-04-29
公开(公告)号: CN204651351U 公开(公告)日: 2015-09-16
发明(设计)人: 吴玉霞 申请(专利权)人: 吴玉霞
主分类号: H01L33/54 分类号: H01L33/54;H01L33/60
代理公司: 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 代理人: 姚伟旗
地址: 415300 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 具有 高出光率 发光二极管
【权利要求书】:

1.一种具有高出光率的发光二极管,其特征在于:包括基板、反射杯、发光二极管芯片、电极、封装体及荧光层;该基板上开设有二非规则通孔,该二非规则通孔于基板底面分别开设有限位槽,该限位槽横向宽度大于通孔其它部位宽度;所述反射杯及电极安装于基板上,该电极包括有彼此隔离的二电极,该二电极分别包括有承载部、嵌入部、及限位部,该嵌入部收容于通孔内,该限位部卡榫于限位槽,该限位部横向宽度大于嵌入部横向宽度,该承载部延伸出基板上表面,该二电极承载部均设置有截面为圆弧形的凹槽;该发光二极管芯片固定于电极上,该封装体设置于反射杯内并覆盖于电极及发光二极管芯片上,该荧光层设置于反射杯的出口并覆盖于封装体上,其包括荧光粉涂布区和荧光粉未涂布区,该荧光粉涂布区设置于发光二极管芯片的正上方位置,且其面积小于发光二极管芯片发出的光透过封装体时的出光面积。

2.如权利要求1所述的一种具有高出光率的发光二极管,其特征在于:所述两电极承载部的对应面与远离面均设有凹槽,所述封装体填充于凹槽内。

3.如权利要求1所述的一种具有高出光率的发光二极管,其特征在于:所述荧光粉未涂布区围绕于荧光粉涂布区周围。

4.如权利要求1所述的一种具有高出光率的发光二极管,其特征在于:所述反射杯的上表面内侧设置有阶梯部,使得反射杯的出口形成一“回”字形结构。

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