[实用新型]碳化硅承载体

说明书

技术领域

本实用新型是有关于一种碳化硅承载体，特别是有关于一种适用于高温烧结炉中，结构已包含有披覆层，可直接用以承载胚体的碳化硅承载体。

背景技术

按，一般粉末冶金或陶瓷制程，其以金属粉末或陶瓷粉末作为原料，经干式或湿式成形为胚体之后，再将此胚体放入一高温烧结炉中，并对此高温烧结炉持续加热升温一段时间，直至高温烧结炉内的温度达到胚体的熔点以下的烧结温度，而使胚体烧结固化成体，续经后处理加工步骤等，即可完成此粉末冶金或陶瓷制程而得到一粉末冶金或陶瓷成品。

在执行烧结作业时，高温烧结炉100中将会设置多个陶瓷承载体1，用以承载胚体3，如图1所示。然而，现有的陶瓷承载体1仅为一个附加电路板，若直接透过陶瓷承载体1来承载胚体3，于高温作业下胚体3与陶瓷承载体1容易因化学反应而相互沾黏，而现有技术的解决方式即是以人工外加方式设置披覆层2于陶瓷承载体1与胚体3之间，但此种方式不仅需透过人力来完成，整体烧结作业的时间亦将被拉长，无形之中增加了不少成本。

实用新型内容

本实用新型所解决的技术问题即在提供一种已包含有披覆层的碳化硅承载体，以解决现有需透过人工外加方式设置披覆层所造成成本损耗的问题。

本实用新型所采用的技术手段如下所述。

根据本实用新型的目的，提出一种碳化硅承载体，适用于一高温烧结炉中，该碳化硅承载体包含：一附加电路板，其中，该附加电路板的制成材料为碳化硅；及至少一披覆层，一体成型于附加电路板上，其中，披覆层的制成材料相异于附加电路板。

较佳地，披覆层设置于附加电路板的一承载面上。

较佳地，附加电路板的所述承载面呈平坦状。

较佳地，附加电路板的所述承载面设有至少一凸部。

较佳地，该凸部设置于该承载面的四周缘。

较佳地，披覆层的制成材料可为氧化镁。

较佳地，披覆层的制成材料可为氧化铝。

较佳地，披覆层的制成材料可为氧化锆。

较佳地，披覆层的制成材料可为氧化镁的复合化氧化物。

较佳地，披覆层的制成材料可为氧化铝的复合化氧化物。

较佳地，披覆层的制成材料可为氧化锆的复合化氧化物。根据本实用新型的目的，又提出一种碳化硅承载体，适用于一高温烧结炉中，碳化硅承载体包含：一附加电路板，包含一平坦的表面，其中附加电路板的制成材料为碳化硅；及至少一披覆层，一体成型于附加电路板的该表面上，其中披覆层的制成材料包含氧化锆或氧化锆的复合化氧化物。

本实用新型所产生的有益效果如下。

承上所述，本实用新型的碳化硅承载体包含有一体成型的附加电路板及披覆层，在烧结制程中，此碳化硅承载体可直接用以承载胚体，而无需再透过人工外加方式设置披覆层，可有效缩短制程时间及降低人力成本。

附图说明

图1为现有技术的碳化硅承载体的示意图。

图2为本实用新型的碳化硅承载体的第一实施例的第一示意图。

图3为本实用新型的碳化硅承载体的第一实施例的第二示意图。

图4为本实用新型的碳化硅承载体的第二实施例的第一示意图。

图5为本实用新型的碳化硅承载体的第二实施例的第二示意图。

图6为本实用新型的碳化硅承载体的第三实施例的第一示意图。

图7为本实用新型的碳化硅承载体的第三实施例的第二示意图。

图8为本实用新型的碳化硅承载体的第四实施例的示意图。

图号说明：

100、200 高温烧结炉

1、陶瓷承载体

2、12 披覆层

3、20 胚体

10 碳化硅承载体

11 附加电路板

111凸部。

具体实施方式

请参阅图2及图3，其分别为本实用新型的碳化硅承载体的第一实施例的第一示意图及第二示意图。此碳化硅承载体10包含有附加电路板11及至少一披覆层12，于第一实施例中，附加电路板11包含有一承载面，该承载面呈平坦状，而至少一披覆层12则一体成型设置于附加电路板11的该承载面上，其中，披覆层12的制成材料相异于附加电路板11。在执行加工作业时，此碳化硅承载体10可设置于一高温烧结炉200中，由于附加电路板11与披覆层12为一体成型的设计，可直接设置胚体20于碳化硅承载体10上，而不需如现有般必须再外加披覆层等介层至碳化硅承载体10上。