[实用新型]一种CMOS过温保护电路有效
| 申请号： | 201520312355.4 | 申请日： | 2015-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN204651893U | 公开（公告）日： | 2015-09-16 |
| 发明（设计）人： | 沈怿皓;于涛 | 申请（专利权）人： | 上海中基国威电子有限公司 |
| 主分类号： | H02H5/04 | 分类号： | H02H5/04;H02H3/06 |
| 代理公司： | 北京挺立专利事务所(普通合伙) 11265 | 代理人： | 王震秀 |
| 地址： | 201206 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 保护 电路 | ||
1.一种CMOS过温保护电路，其特征在于，包括第一PTAT电流源(I1)、第二PTAT电流源(I2)、第一场效应晶体管(M1)-第四场效应晶体管(M4)、第一电阻(R1)-第五电阻(R5)、三极管(Q1)和反相器(U)，三极管(Q1)的集电极依次接第一PTAT电流源(I1)、第三电阻(R3)至地端，三极管(Q1)的基极依次接第二电阻(R2)、第二PTAT电流源(I2)、第四电阻(R4)至地端，三极管(Q1)的基极与发射极之间接有第一电阻(R1)，三极管(Q1)的发射极接电源VCC端，三极管(Q1)的发射极、集电极分别接第一场效应晶体管(M1)的源极、栅极，第一场效应晶体管(M1)的栅极、漏极分别接第二场效应晶体管(M2)的栅极、漏极，第二场效应晶体管(M2)的源极接第三场效应晶体管(M3)的漏极，第三场效应晶体管(M3)的源极接地端，第三场效应晶体管(M3)的源极接第五电阻(R5)至第四场效应晶体管(M4)的源极，第四场效应晶体管(M4)的漏极接第二PTAT电流源(I2)与第二电阻(R2)之间的节点，第一场效应晶体管(M1)的漏极接反相器(U)的输入端，反相器(U)的输出端接第四场效应晶体管(M4)的栅极。
2.根据权利要求1所述的一种CMOS过温保护电路，其特征在于，所述的三极管(Q1)采用PNP型三极管。
3.根据权利要求1所述的一种CMOS过温保护电路，其特征在于，所述的第一场效应晶体管(M1)采用N沟道绝缘栅场效应管。
4.根据权利要求1所述的一种CMOS过温保护电路，其特征在于，所述的第二场效应晶体管(M2)、第三场效应晶体管(M3)、第四场效应晶体管(M4)均采用P沟道绝缘栅场效应管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海中基国威电子有限公司，未经上海中基国威电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520312355.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
