[实用新型]一种CMOS过温保护电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及的是过温保护电路技术领域，具体涉及一种CMOS过温保护电路。

背景技术

随着电路的集成密度不断提高，功耗成为影响电路功能及稳定性的重要因素，功耗会引起芯片温度的升高，进一步引起PN热击穿而过流，从而导致芯片无法正常工作，因此，功率电路通常需要过温保护电路，过温保护电路首先检测电路的瞬态温度，当最高温度达到温度极限范围时，电路产生指示信号，关断系统，阻止电路温度继续上升；当温度下降至低温时，指示信号翻转，使系统回到正常工作模式。

现有的过温保护电路首先将温度信号转化为电压信号，再对该电压信号进行处理，集成电路中的过温保护电路一般利用的是二极管的导通电压随温度升高而减小的特性，将二极管作为温度传感器来实现，并将采集到的电压送入迟滞比较器中比较，但是迟滞比较器的使用增加了电路的复杂度，进而增加了电路的功耗，不符合现有低功耗电路发展的趋势，为了解决上述问题，设计一种CMOS过温保护电路还是很有必要的。

实用新型内容

针对现有技术上存在的不足，本实用新型目的是在于提供一种CMOS过温保护电路，结构简单，设计合理，功耗降低，同时具有线性可调的迟滞翻转范围，可根据不同的环境需要进行调节，实用性强。

为了实现上述目的，本实用新型是通过如下的技术方案来实现：一种CMOS过温保护电路，包括第一PTAT电流源、第二PTAT电流源、第一场效应晶体管-第四场效应晶体管、第一电阻-第五电阻、三极管和反相器，三极管的集电极依次接第一PTAT电流源、第三电阻至地端，三极管的基极依次接第二电阻、第二PTAT电流源、第四电阻至地端，三极管的基极与发射极之间接有第一电阻，三极管的发射极接电源VCC端，三极管的发射极、集电极分别接第一场效应晶体管的源极、栅极，第一场效应晶体管的栅极、漏极分别接第二场效应晶体管的栅极、漏极，第二场效应晶体管的源极接第三场效应晶体管的漏极，第三场效应晶体管的源极接地端，第三场效应晶体管的源极接第五电阻至第四场效应晶体管的源极，第四场效应晶体管的漏极接第二PTAT电流源与第二电阻之间的节点，第一场效应晶体管的漏极接反相器的输入端，反相器的输出端接第四场效应晶体管的栅极。

作为优选，所述的三极管采用PNP型三极管。

作为优选，所述的第一场效应晶体管采用N沟道绝缘栅场效应管，第二场效应晶体管、第三场效应晶体管、第四场效应晶体管均采用P沟道绝缘栅场效应管。

本实用新型的有益效果：充分利用了COMS功耗低的特点，巧妙地避免使用迟滞比较器实现电路的翻转功能，电路结构简单，功耗降低，同时具有线性可调的迟滞翻转范围，可根据不同的环境需要进行调节。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式来详细说明本实用新型；

图1为本实用新型的原理图。

具体实施方式

为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本实用新型。

参照图1，本具体实施方式采用以下技术方案：一种CMOS过温保护电路，包括第一PTAT电流源I 1、第二PTAT电流源I2、第一场效应晶体管M1-第四场效应晶体管M4、第一电阻R1-第五电阻R5、三极管Q1和反相器U，三极管Q1的集电极依次接第一PTAT电流源I1、第三电阻R3至地端，三极管Q1的基极依次接第二电阻R2、第二PTAT电流源I2、第四电阻R4至地端，三极管Q1的基极与发射极之间接有第一电阻R1，三极管Q1的发射极接电源VCC端，三极管Q1的发射极、集电极分别接第一场效应晶体管M1的源极、栅极，第一场效应晶体管M1的栅极、漏极分别接第二场效应晶体管M2的栅极、漏极，第二场效应晶体管M2的源极接第三场效应晶体管M3的漏极，第三场效应晶体管M3的源极接地端，第三场效应晶体管M3的源极接第五电阻R5至第四场效应晶体管M4的源极，第四场效应晶体管M4的漏极接第二PTAT电流源I2与第二电阻R2之间的节点，第一场效应晶体管M1的漏极接反相器U的输入端，反相器U的输出端接第四场效应晶体管M4的栅极。

值得注意的是，所述的三极管Q1采用PNP型三极管，第一场效应晶体管M1采用N沟道绝缘栅场效应管，第二场效应晶体管M2、第三场效应晶体管M3、第四场效应晶体管M4均采用P沟道绝缘栅场效应管。