[实用新型]一种半导体硅片清洗釜

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体硅片清洗釜。

背景技术

目前所使用的半导体硅片清洗装置清洗过程中需要使用大量纯水，并添加有机溶剂，会造成环境污染、人身危害和水资源浪费等严重问题。

中国实用新型专利（公开号：CN2489887Y）公开了一种连续式超声波清洗机，其存在清洗盲区，不能有效清洗微孔和狭缝，并且使用清洗剂还会对环境造成污染；中国发明专利（公开号：CN101740342A）公开了一种绿色二氧化碳超临界流体半导体清洗设备，主要是对半导体硅片清洗，但并未增加旋转、振荡等辅助清洗手段，最终实际清洗效果不理想；中国发明专利（公开号：CN1990126A）公开了一种超临界二氧化碳清洗系统与方法，主要对晶圆或元件清洗，而结构复杂，操作繁琐，不宜于工业生产推广；中国实用新型专利（公开号：CN201720215U）公开了一种盲孔内螺纹无屑清洗装置，只是单一使用超声波清洗。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种半导体硅片清洗釜，它具有操作简单、清洗效果好、清洗效率高等特点。

为解决上述技术问题，本实用新型所采取的技术方案是：

一种半导体硅片清洗釜，包括釜体及与釜体密封连接釜盖，还包括插入釜体内部的清洗管，清洗管外端设有截止阀，在截止阀与釜体之间的清洗管上连接超生波发生器，在釜体壁上均布硅片吸盘连通孔，在釜体的外壁设有与硅片吸盘连通孔连通的负压连接通道，在釜体的内壁设有与硅片吸盘连通孔连通的硅片吸盘，硅片吸盘包括一端与硅片吸盘连通孔连通的连接管，连接管的另一端连接均布吸附微孔的吸附板，还包括受阀门控制的釜体排气口。

本实用新型进一步改进在于：

釜体内壁为竖立的圆筒形；釜盖为圆形，位于釜体的正上方；清洗管由釜盖的中心竖向插入釜体内部，釜体排气口位于釜盖上。

釜体设有旋转结构：在釜体的外周设有与其同轴心的筒形外壳，筒形外壳的上端与釜体上部密封旋转连接，负压连接通道由釜体与外壳之间的环形间隙形成，在外壳的底部设有与负压连接通道连通的吸气孔，外壳的底部中心设有电机，电机的转轴竖直向上通过外壳底部与釜体底部中心固定。

清洗管位于釜体内部部分的外壁设有多个喷嘴。

在截止阀与釜体之间的清洗管上连接两个超生波发生器。

采用上述技术方案所产生的有益效果在于：

本实用新型中在釜体壁上均布硅片吸盘连通孔，在釜体的外壁设有与硅片吸盘连通孔连通的负压连接通道，在釜体的内壁设有与硅片吸盘连通孔连通的硅片吸盘，硅片吸盘包括一端与硅片吸盘连通孔连通的连接管，连接管的另一端连接均布吸附微孔的吸附板，根据半导体硅片只需对一面清洁度有严格要求的特点，通过负压方式使硅片吸盘固定半导体硅片，使需要清洁的一面暴露在釜体内清洗，改变了现有硅片装夹方式，提高了生产效率，改善清洗效果。（现有的清洗釜设计较为简单、抽象，对硅片的装夹方式一般是通过夹持元件来夹住硅片进行清洗，这种机械夹紧，效率低下，操作繁琐，且被夹持位置死区处往往残留颗粒）。包括釜体及与釜体密封连接釜盖，还包括插入釜体内部的清洗管，清洗管外端设有截止阀，在截止阀与釜体之间的清洗管上连接超生波发生器，使釜体内形成密闭空间，以便于清洗管注入超临界二氧化碳，超临界二氧化碳的微气泡能在超声波的作用下保持振动，对半导体硅片进行清洗，清洗效果好；还包括受阀门控制的釜体排气口，通过快速泄压，使含有污物的超临界二氧化碳直接通过釜体排气口快速排出，将杂质混合液快速带走，避免重新沉积到半导体硅片表面并产生空化作用，利于杂质脱落，达到对半导体硅片较好的清洗效果。釜体设有旋转结构，在电机的带动下使釜体旋转，加强清洗效果。本实用新型具有操作简单、清洗效果好、清洗效率高等特点。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图；

图2是图1中硅片吸盘的结构示意图。

在附图中：1、釜体；2、釜盖；3、清洗管；4、超生波发生器；5、硅片吸盘连通孔；6、硅片吸盘；7、釜体排气口；8、外壳；9、负压连接通道；10、吸气孔；11、电机；12、转轴；13、喷嘴；14、半导体硅片。

具体实施方式

下面将结合附图和具体实施例对本实用新型进行进一步详细说明。