[实用新型]晶圆级芯片封装结构

权利要求书

1.一种晶圆级芯片封装结构，包括金属凸点，其特征在于，所述金属凸点上设有阻挡层，所述阻挡层上设有焊球，所述金属凸点和所述阻挡层的外围设有塑封层，所述阻挡层的上表面与所述塑封层的上表面平齐。

2.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述金属凸点为铜柱，所述焊球为锡球。

3.根据权利要求1或2所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述阻挡层为镍或镍合金。

4.根据权利要求3所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，还包括硅承载层，所述硅承载层上设有凹槽，所述凹槽内设有铝层，在所述硅承载层上设有钝化层，所述钝化层在铝层上设有开口，所述钝化层及开口下方的铝层上选择性的形成再布线层，使所述再布线层覆盖所述开口，在所述开口以外的再布线层上表面设置金属凸点，在所述金属凸点的外围、阻挡层的外围、所述再布线层和所述钝化层上设置塑封层。

5.根据权利要求4所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述阻挡层与所述焊球之间设有锡银合金层，所述锡银合金层的上表面位于所述塑封层的上表面以上。

6.根据权利要求5所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述钝化层覆盖部分铝层。

7.根据权利要求6所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述钝化层的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、聚酰亚胺或它们的混合物。

8.根据权利要求7所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述塑封层为聚酰亚胺保护层。