[实用新型]晶圆级芯片封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体封装技术，具体涉及一种晶圆级芯片封装结构。

背景技术

目前使用电镀铜柱，塑封后研磨成型，并使用铜柱作为基底层进行植球。此结构在大电流方面有优势。但是在大电流工作过程中，铜和锡球材料直接接触，形成的铜锡金属间化合物对于后续的可靠性、电性能和机械性能有不利的影响。

实用新型内容

在下文中给出关于本实用新型的简要概述，以便提供关于本实用新型的某些方面的基本理解。应当理解，这个概述并不是关于本实用新型的穷举性概述。它并不是意图确定本实用新型的关键或重要部分，也不是意图限定本实用新型的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念，以此作为稍后论述的更详细描述的前序。

本实用新型实施例的目的是针对上述现有技术的缺陷，提供一种能够有效阻止金属间化合物的不利影响，提高产品电性能和机械性能的晶圆级芯片封装结构及其封装方法。

为了实现上述目的，本实用新型采取的技术方案是：

一种晶圆级芯片封装结构，包括金属凸点，所述金属凸点上设有阻挡层，所述阻挡层上设有焊球，所述金属凸点和所述阻挡层的外围设有塑封层，所述阻挡层的上表面与所述塑封层的上表面平齐。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

采用本实用新型的封装方法制备的晶圆级芯片封装结构，在晶圆级芯片封装结构(Wafer Level Chip Scale Packaging，WLCSP)中增加一层阻挡层，可以有效阻止金属间化合物的不利影响。对于产品的电性能和机械性能有明显提高。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的一种晶圆级芯片封装结构的结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的另一种晶圆级芯片封装结构的结构示意图。

附图标记：

1-金属凸点；2-阻挡层；3-焊球；4-塑封层；5-硅承载层；6-铝层；7-钝化层；8-再布线层；9-锡银合金层。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。在本实用新型的一个附图或一种实施方式中描述的元素和特征可以与一个或更多个其它附图或实施方式中示出的元素和特征相结合。应当注意，为了清楚的目的，附图和说明中省略了与本实用新型无关的、本领域普通技术人员已知的部件和处理的表示和描述。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

参见图1，一种晶圆级芯片封装结构，包括金属凸点1，金属凸点1上设有阻挡层2，阻挡层2上设有焊球3，金属凸点1的外围设有塑封层4，金属凸点1和阻挡层2的外围设有塑封层4，阻挡层2的上表面与塑封层4的上表面平齐。

通过设置阻挡层可以有效阻止金属间化合物的不利影响。

本实施例在上述实施例的基础上，金属凸点1为铜柱，焊球3为锡球。优选地，阻挡层2为镍或镍合金。

阻挡层的存在，阻止了铜和锡的金属间化合物的生成和生长，对于产品的电性能和机械性能有明显提高。

本实施例在上述实施例的基础上，还包括硅承载层5，硅承载层5上设有凹槽，所述凹槽内设有铝层6，在硅承载层5上设有钝化层7，钝化层7在铝层6上设有开口，钝化层7及开口下方的铝层6上选择性的形成再布线层8，使再布线层8覆盖所述开口，在所述开口以外的再布线层8上表面设置金属凸点1，在金属凸点1的外围、阻挡层2的外围、再布线层8和钝化层7上设置塑封层4。

本实用新型设置的塑封层的上表面高于阻挡层的上表面，即设置在金属凸点上的阻挡层凹陷于所述塑封层中。金属凸点选用铜柱，阻挡层为镍或镍合金，焊球选用锡球，由于阻挡层的存在，阻止了铜和锡的金属间化合物的生成和生长，对于产品的电性能和机械性能有明显提高。

参见图2，本实施例在上述实施例的基础上，阻挡层2与焊球3之间设有锡银合金层9，锡银合金层9的上表面位于塑封层4的上表面以上，锡银合金层9突出于塑封层4的上表面设置。