[实用新型]三维结构的氢终端金刚石场效应晶体管生物传感器有效
| 申请号： | 201520331776.1 | 申请日： | 2015-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN204649684U | 公开（公告）日： | 2015-09-16 |
| 发明（设计）人： | 王晶晶;冯志红;何泽召 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 李荣文 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 三维 结构 终端 金刚石 场效应 晶体管 生物 传感器 | ||
1.一种三维结构的氢终端金刚石场效应晶体管生物传感器，其特征在于：所述传感器包括金刚石基片（1），所述金刚石基片（1）的上、下表面形成有氢端基金刚石层（2），每层氢端基金刚石层（2）上形成有漏电极（3）和源电极（4），所述漏电极（3）和源电极（4）之间的氢端基金刚石层（2）上形成有捕获层（5），所述捕获层（5）上形成有栅电极（6）。
2.根据权利要求1所述的三维结构的氢终端金刚石场效应晶体管生物传感器，其特征在于：所述漏电极（3）和源电极（4）的制作材料为Au、Ti、Pt、Ag、Cr、Cu中的一种。
3.根据权利要求1所述的三维结构的氢终端金刚石场效应晶体管生物传感器，其特征在于：所述捕获层（5）的制作材料为金属、金属的氧化物或金属的氮化物。
4.根据权利要求1所述的三维结构的氢终端金刚石场效应晶体管生物传感器，其特征在于：所述捕获层（5）的制作材料为Au，Ti，Pt，Ag，Cr，Cu中的一种。
5.根据权利要求1所述的三维结构的氢终端金刚石场效应晶体管生物传感器，其特征在于：所述捕获层（5）的制作材料为Al2O3，NiOx，SnOx，TiOx、W2O5、ZrO或ZnOLangmuir-Blodegett 膜。
6.根据权利要求1所述的三维结构的氢终端金刚石场效应晶体管生物传感器，其特征在于：所述栅电极（6）的制作材料为Al，Ni，Sn，Ti，W，Ag中的一种。
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