[实用新型]三维结构的氢终端金刚石场效应晶体管生物传感器

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种三维结构的氢终端金刚石场效应晶体管生物传感器。

背景技术

金刚石作为一种由C元素组成的半导体材料，其具有天然的生物兼容性，当其粘结DNA等生命物质时，与Au和Si相比可最大限度的保持该物质的基本生物特性不发生改变。这一特点对于开发多阵列式的生物传感器尤为重要。因为其可以实现长期稳定的大批量测试，所以可以使测试成本大大降低。

氢端基金刚石薄膜具有良好的导电性，是一种良好的生物传感器基底电极。具有优秀的电化学性能：电化学势窗较宽、背景电流低、物理化学稳定性好以及较强的抗污染特性等，与通常用的玻碳电极、石墨电极等相比具有极大的优越性。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种三维结构的氢终端金刚石场效应晶体管生物传感器，所述传感器具有高效率、高灵敏度、分析速度快、体积小、试样用量少，成本低、易于大批量制备的优点。

为解决上述技术问题，本实用新型所采取的技术方案是：一种三维结构的氢终端金刚石场效应晶体管生物传感器，其特征在于：所述传感器包括金刚石基片，所述金刚石基片的上、下表面形成有氢端基金刚石层，每层氢端基金刚石层上形成有漏电极和源电极，所述漏电极和源电极之间的氢端基金刚石层上形成有捕获层，所述捕获层上形成有栅电极。

进一步的技术方案在于：所述漏电极和源电极的制作材料为Au、Ti、Pt、Ag、Cr、Cu中的一种或几种。 

进一步的技术方案在于：所述捕获层的制作材料为金属、金属的氧化物或金属的氮化物。

进一步的技术方案在于：所述捕获层的制作材料为Au，Ti，Pt，Ag，Cr，Cu中的一种或几种。

进一步的技术方案在于：所述捕获层的制作材料为Al₂O₃，NiO_x，SnO_x，TiO_x、W₂O₅、ZrO或ZnOLangmuir-Blodegett 膜。

进一步的技术方案在于：所述栅电极的制作材料为Al，Ni，Sn，Ti，W，Ag中的一种或几种。

采用上述技术方案所产生的有益效果在于：所述传感器具有高效率、高灵敏度、分析速度快、体积小、试样用量少，成本低、易于大批量制备的优点。

附图说明

图1是本实用新型所述传感器的结构示意图；

图2是本实用新型所述传感器的使用状态结构示意图；

其中：1、金刚石基片 2、氢端基金刚石层 3、漏电极 4、源电极 5、捕获层 6、栅电极。

具体实施方式

下面结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型，但是本实用新型还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似推广，因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。

如图1所示，本实用新型公开了一种三维结构的氢终端金刚石场效应晶体管生物传感器，所述传感器包括金刚石基片1，所述金刚石基片1的上、下表面形成有氢端基金刚石层2，每层氢端基金刚石层2上形成有漏电极3和源电极4，所述漏电极3和源电极4之间的氢端基金刚石层2上形成有捕获层5，所述捕获层5上形成有栅电极6。

如图1所示，上述器件的制作方法包括如下步骤：

1）在金刚石基片1的上下表面制备氢端基金刚石层2；

2）分别在氢端基金刚石层2表面制作源电极4和漏电极3；

3）在源电极4与漏电极3间的氢端基金刚石层2上沉积捕获层5；

4）在捕获层5上制作栅电极6。

氢端基金刚石层可以通过氢等离子体处理、直流电弧、高温退火或高温高压等任意方法在金刚石表面制作氢端基金刚石层。

源、漏电极可选用Au，Ti，Pt，Ag，Cr，Cu以及其他可以和金刚石沟道形成欧姆接触的任何一种金属。