[实用新型]一种不对称半桥隔离驱动电路有效

专利信息
申请号: 201520337159.2 申请日: 2015-05-23
公开(公告)号: CN204696908U 公开(公告)日: 2015-10-07
发明(设计)人: 王霄霞;于海波;武剑;马玉莹 申请(专利权)人: 王霄霞
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 016000 内蒙古自治区*** 国省代码: 内蒙古;15
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摘要:
搜索关键词: 一种 不对称 隔离 驱动 电路
【权利要求书】:

1.一种不对称半桥隔离驱动电路,包括电阻R1、电容C1、三极管VT1、变压器T、二极管D1和MOS管VS1,其特征在于,所述电阻R1一端分别连接电阻R2和输入信号Vi,电阻R1另一端连接三极管VT1基极,三极管VT1集电极连接电源VCC,三极管VT1发射极分别连接电容C1和三极管VT2发射极,三极管VT2基极连接电阻R2另一端,三极管VT2集电极连接电阻R8并接地,电阻R8另一端连接变压器T线圈L1,变压器T线圈L1另一端连接电容C1另一端,变压器T线圈L2一端分别连接电容C2和电阻R7,电容C2另一端连接电阻R3,电阻R3另一端分别连接电阻R7另一端、二极管D1正极、电阻R5和三极管VT4基极,电阻R5另一端分别连接变压器T线圈L2另一端、三极管VT4集电极、二极管D3正极、MOS管VS1的S极和开关VS2的D极,二极管D3负极分别连接二极管D1负极、三极管VT4发射极和MOS管VS1的G极,MOS管VS1的D极连接输出端Vo,所述MOS管VS2的S极分别连接二极管D4正极、三极管VT3集电极、电阻R6、电阻R9和变压器T线圈L3,MOS管VS2的G极分别连接二极管D4负极、三极管VT3发射极和二极管D2负极,二极管D2正极分别连接电阻R4、电阻R6另一端和三极管VT3基极,电阻R4另一端分别连接电容C3和电阻R9另一端,电容C3另一端连接变压器T线圈L3另一端。

2.根据权利要求1所述的不对称半桥隔离驱动电路,其特征在于,所述二极管D1为稳压二极管。

3.根据权利要求1所述的不对称半桥隔离驱动电路,其特征在于,所述二极管D2为稳压二极管。

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