[实用新型]一种不对称半桥隔离驱动电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种驱动电路，具体是一种不对称半桥隔离驱动电路。

背景技术

　随着电力半导体器件的发展，出现了多种全控型器件，其中MOSFET以其开关速度快、易并联、所需驱动功率低等优点成为开关电源中最常用的功率开关器件之一，同时，随着软开关技术的不断发展，具有结构简单、所用元器件少、电压应力小等优点的不对称半桥变换器的应用也越来越广泛，然而现有的半桥隔离驱动电路存在以下缺陷：1、结构复杂，需要双电源供电；2、元器件较多，特别是需要两个隔离变压器，不仅占用较大空间，而且增加电路成本。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种不对称半桥隔离驱动电路，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种不对称半桥隔离驱动电路，包括电阻R1、电容C1、三极管VT1、变压器T、二极管D1和MOS管VS1，所述电阻R1一端分别连接电阻R2和输入信号Vi，电阻R1另一端连接三极管VT1基极，三极管VT1集电极连接电源VCC，三极管VT1发射极分别连接电容C1和三极管VT2发射极，三极管VT2基极连接电阻R2另一端，三极管VT2集电极连接电阻R8并接地，电阻R8另一端连接变压器T线圈L1，变压器T线圈L1另一端连接电容C1另一端，变压器T线圈L2一端分别连接电容C2和电阻R7，电容C2另一端连接电阻R3，电阻R3另一端分别连接电阻R7另一端、二极管D1正极、电阻R5和三极管VT4基极，电阻R5另一端分别连接变压器T线圈L2另一端、三极管VT4集电极、二极管D3正极、MOS管VS1的S极和开关VS2的D极，二极管D3负极分别连接二极管D1负极、三极管VT4发射极和MOS管VS1的G极，MOS管VS1的D极连接输出端Vo，所述MOS管VS2的S极分别连接二极管D4正极、三极管VT3集电极、电阻R6、电阻R9和变压器T线圈L3，MOS管VS2的G极分别连接二极管D4负极、三极管VT3发射极和二极管D2负极，二极管D2正极分别连接电阻R4、电阻R6另一端和三极管VT3基极，电阻R4另一端分别连接电容C3和电阻R9另一端，电容C3另一端连接变压器T线圈L3另一端。

作为本实用新型进一步的方案：所述二极管D1为稳压二极管。

作为本实用新型再进一步的方案：所述二极管D2为稳压二极管。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型不对称半桥隔离驱动电路，使用单电源，适用于单脉冲输出的芯片，具有结构简单可靠，占用空间小等特点，并且实现了电气隔离，可以运用于中大功率场合，适合推广使用。

附图说明

图1为不对称半桥隔离驱动电路的电路图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1，本实用新型实施例中，一种不对称半桥隔离驱动电路，包括电阻R1、电容C1、三极管VT1、变压器T、二极管D1和MOS管VS1，电阻R1一端分别连接电阻R2和输入信号Vi，电阻R1另一端连接三极管VT1基极，三极管VT1集电极连接电源VCC，三极管VT1发射极分别连接电容C1和三极管VT2发射极，三极管VT2基极连接电阻R2另一端，三极管VT2集电极连接电阻R8并接地，电阻R8另一端连接变压器T线圈L1，变压器T线圈L1另一端连接电容C1另一端，变压器T线圈L2一端分别连接电容C2和电阻R7，电容C2另一端连接电阻R3，电阻R3另一端分别连接电阻R7另一端、二极管D1正极、电阻R5和三极管VT4基极，电阻R5另一端分别连接变压器T线圈L2另一端、三极管VT4集电极、二极管D3正极、MOS管VS1的S极和开关VS2的D极，二极管D3负极分别连接二极管D1负极、三极管VT4发射极和MOS管VS1的G极，MOS管VS1的D极连接输出端Vo，MOS管VS2的S极分别连接二极管D4正极、三极管VT3集电极、电阻R6、电阻R9和变压器T线圈L3，MOS管VS2的G极分别连接二极管D4负极、三极管VT3发射极和二极管D2负极，二极管D2正极分别连接电阻R4、电阻R6另一端和三极管VT3基极，电阻R4另一端分别连接电容C3和电阻R9另一端，电容C3另一端连接变压器T线圈L3另一端。

二极管D1为稳压二极管。

二极管D2为稳压二极管。