[实用新型]半导体装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及通过树脂封装壳体内且能够在高温区域内进行工作的半导体装置。

背景技术

用于取代使用模具的压铸模，已存在使用树脂壳体的半导体装置。在这种半导体装置中，作为半导体元件，有时使用SiC等的化合物半导体。SiC等的化合物半导体相比以往的Si半导体而言，能够在高温区域进行工作，可期待实现小型化和高效率化。

在使用SiC等的能够实现高温工作的半导体元件的半导体装置中，为了保证在高温区域的工作，对于覆盖半导体元件的封装材料使用耐热性相对高于环氧类树脂的例如凝胶材料。

其中，凝胶材料主要为硅类树脂，因而硬度较低，缺少保护半导体元件的功能。因此，已经公知的技术是与作为覆盖凝胶材料的外围体的环氧类树脂组合起来以形成多层结构。(专利文献1)

专利文献1日本特开平08-124951号公报

然而，在上述现有技术中，环氧类树脂与凝胶材料之间的界面的紧密贴合性较低，易于产生剥离或空隙。相比通过使用模具的压铸模形成的半导体装置而言，作为使用壳体的半导体装置，除了上述界面的紧密贴合性的降低之外，还存在壳体内壁面与树脂间的紧密贴合性，它们会导致半导体装置的可靠性的降低，从而产生问题。

实用新型内容

本实用新型就是鉴于上述问题点而完成的，其提供一种耐热性优良且高可靠性的半导体装置。

为了解决上述课题，本实用新型采用如下所述的结构。

本实用新型的半导体装置具有半导体元件、在一个主表面上搭载有半导体元件的基板、配置于基板的一个主表面或侧表面，且被配置为包围半导体元件的壳体、以及覆盖被壳体包围的基板的一个主表面侧的封装体。封装体从基板的一个主表面侧起，依次具有第1层、第2层和第3层。第1层覆盖半导体元件，且接触壳体的内壁面。第3层隔着第2层覆盖第1层的主表面，且接触壳体的内壁面。第1层由耐热性优于第3层的树脂构成。第3层由硬度高于第1层的树脂构成。第1层与第2层之间的紧密贴合性和第2层与第3层之间的紧密贴合性高于第1层与第3层之间的紧密贴合性。

这里，第2层例如是以PPS为主材料的树脂板。

以PPS为主材料的树脂板可以具有贯通孔。

该贯通孔供配置于基板的一个主表面上的引线贯通，或作为注入形成第1层的树脂的贯通孔或抽出第1层内的气体的贯通孔进行工作。

在本实用新型中，覆盖被壳体包围的基板的一个主表面侧的封装体依次具有第1层、第2层和第3层。覆盖半导体元件的第1层由耐热性优于第3层的树脂构成。因此，能够提供一种耐热性优良的半导体装置。

此外，第3层由硬度高于第1层的树脂构成。因此，能够有效保护半导体元件不受到来自外部的冲击。

此外，第1层与第2层的紧密贴合性和第2层与第3层的紧密贴合性高于第1层与第3层的紧密贴合性。因此，能够实现一种各层的紧密贴合性得以提升，且耐湿性优良的半导体装置。

其结果，能够提供一种耐热性较高且高可靠性的半导体装置。

附图说明

图1是本实用新型的实施例1的半导体装置100的俯视示意图。

图2是表示从图1的A-A剖面观察的半导体装置100的结构的剖面示意图。

标号说明

1：半导体元件，2：基板，3：引线，4：导电性粘结材料，5：壳体，6：封装体，61：第1层，62：第2层，63：第3层，7：贯通孔，100：半导体装置。

具体实施方式

以下，参照附图详细说明用于实施本实用新型的方式。此外，在以下附图的描述中，对于同一或类似的部分使用同一或类似的符号表现。其中，附图为示意性内容，尺寸关系的比率等与现实情况不同。因此，应对照如下说明判断具体的尺寸等。此外，附图彼此之间必然包含彼此的尺寸关系和比率不同的部分。

此外，以下所示的实施方式是用于具体实现本实用新型的技术思想的示例，本实用新型的实施方式的构成部件的材质、形状、结构、配置等并不局限于下述内容。本实用新型的实施方式可以在不脱离主旨的范围内进行各种变更并实施。

实施例

以下，参照附图说明本实用新型的实施例的半导体装置100。图1是本实用新型的实施例的半导体装置100的俯视示意图。此外，在图1中，未图示出基板、第1层、第2层以及用于电连接的配线。图2是表示从图1的A-A剖面观察的半导体装置100的结构的剖面示意图。