[实用新型]一种表面镀铜的导电膜有效
申请号: | 201520368335.9 | 申请日: | 2015-05-30 |
公开(公告)号: | CN205122219U | 公开(公告)日: | 2016-03-30 |
发明(设计)人: | 胡文玮;杜成城;刘比尔 | 申请(专利权)人: | 汕头万顺包装材料股份有限公司;汕头万顺包装材料股份有限公司光电薄膜分公司 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;G06F3/044;G06F3/045 |
代理公司: | 广州市深研专利事务所 44229 | 代理人: | 张喜安 |
地址: | 515078 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 表面 镀铜 导电 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种透明导电膜,特别是涉及一种表面镀铜的导电膜。
背景技术
目前通用的触摸屏包括适用于移动设备和消费电子产品的电阻式触摸屏和投射电容式触摸屏,随着苹果公司IPhone手机的推出,引发了电容式触摸屏的热潮,电容式触摸屏向各种电子产品领域渗透。随着技术的进步,电容式触摸屏的各种结构不断涌现,其中最常用的有苹果经典的双面ITO结构,单面TP桥结构,film-glass结构,film-film-glass结构等,其中对于film-film结构的电容屏结构,电极引线大多采用丝印银浆。通常为ITO导电膜制作感应图型后,在边侧上方制作导线,以将讯号连接至驱动IC。目前在ITO上方印刷导电银浆时,需在银浆中添加黏着剂,若黏着剂过高则会导致导电度较差;黏着剂过低则银浆的粘着性不强,再有制作的银导电厚度较厚且线宽较宽,绕曲效果亦较差,容易造成断线的问题。
发明内容
本实用新型是针对现有技术的不足,提供一种表面镀铜的导电膜,电极粘着性好,避免使用黏着剂,并且有效解决绕曲效果较差、容易造成断线的问题。
本实用新型采用的技术方案如下:一种表面镀铜的导电膜,包括依次层叠设置在基材一侧的光学调整层、ITO层及铜导线层,基材与光学调整层之间设有调光硬化涂层,所述调光硬化涂层厚度取值在300nm至2μm,所述铜导线层厚度为50nm~800nm,所述ITO层的表面电阻≦400Ω/□。
进一步地,所述基材的另一侧设置有调光硬化涂层。
进一步地,所述基材的另一侧相对地设置有调光硬化涂层、光学调整层、ITO层及铜导线层。
进一步地,所述铜导线层厚度优选为100nm~300nm。
进一步地,所述ITO层厚度优选为20nm~30nm。
与现有技术相比,本实用新型在ITO导电膜上方,将铜导线层于制作ITO上方,不需要添加黏着剂,且仅需数百奈米的厚度即可达到需求的导电效果,同时因无黏着剂之添加,所以同时也解决了绕曲的问题。
附图说明
图1是本实用新型表面镀铜的导电膜的第一较佳实施方式的层结构示意图;
图2是本实用新型的第二较佳实施方式的层结构示意图;
图3是本实用新型的第三较佳实施方式的层结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合,下面将参考附图并结合实施例来详细说明本实用新型。
如图1所示,一种表面镀铜的导电膜,其第一较佳实施方式包括基材1、以及层叠设置在基材1上表面的光学调整层2、ITO层3及铜导线层4。所述基材1为可透光材质,表面均匀且平整,其材质可为PET、PEN、COC(CyclicOlefinCopolymer)、COP(CyclicOlefinPolymers)中的任意一种。基材1与光学调整层2之间制作兼具调光与抗刮伤效果的调光硬化涂层5,ITO层3设置在光学调整层2上,铜导线层4通过溅镀、蒸镀等技术制作在ITO层3上。
本实用新型的第二较佳实施方式,一种表面镀铜的导电膜,在第一较佳实施方式的基础上,如图2所示,所述基材1的下表面进一步设置有另一调光硬化涂层5。
本实用新型的第三较佳实施方式,一种表面镀铜的导电膜,在第一较佳实施方式的基础上,如图3所示,所述基材1下表面进一步依次层叠设置有调光硬化涂层5、光学调整层2、ITO层3及铜导线层4,与基材1上表面的各层对称。
上述各实施例方式中,所述调光硬化涂层5折射率为1.6~1.7,且厚度在300nm~2μm。
所述光学调整层2用于调整入射光的折射率,折射率为1.4~1.5,其厚度为10~40nm。
所述ITO层3为铟锡氧化物导电层,并且氧化锡(SnO2)比例介于1~10%间,以薄膜沉积的方式形成于光学调整层2表面上。ITO层3在150℃条件下经过60分钟的热处理后,其表面电阻变化率经浸泡1N盐酸3分钟后≦20%。所述ITO层3厚度选择为15nm~35nm,ITO层3的表面电阻优选为≦400Ω/□。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于汕头万顺包装材料股份有限公司;汕头万顺包装材料股份有限公司光电薄膜分公司,未经汕头万顺包装材料股份有限公司;汕头万顺包装材料股份有限公司光电薄膜分公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520368335.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。