[实用新型]处理系统和用于工艺腔室中的基板载体有效
申请号: | 201520372501.2 | 申请日: | 2015-06-02 |
公开(公告)号: | CN204792743U | 公开(公告)日: | 2015-11-18 |
发明(设计)人: | 约翰·M·怀特;王作乾 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 徐伟 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 系统 用于 工艺 中的 载体 | ||
1.一种处理系统,其特征在于,包含:
工艺腔室,所述工艺腔室被配置以在基板上沉积材料;和
电磁掩膜夹盘,所述电磁掩膜夹盘被定位于所述工艺腔室中,所述电磁掩膜夹盘包含:
多个电磁体,所述多个电磁体可操作以将掩膜夹持至所述基板载体上的所述基板;和
耦接至所述多个电磁体的电源。
2.如权利要求1所述的处理系统,其特征在于,所述电磁掩膜夹盘可操作以相继增加来自所述多个电磁体的磁场。
3.如权利要求2所述的处理系统,其特征在于,所述电磁掩膜夹盘可操作以相对于所述电磁掩膜夹盘的周边区域在所述电磁掩膜夹盘的中心区域产生更多的力。
4.如权利要求2所述的处理系统,其特征在于,所述电磁掩膜夹盘可操作以相对于所述电磁掩膜夹盘的一侧在所述电磁掩膜夹盘的相对侧产生更多的力。
5.如权利要求1所述的处理系统,其特征在于,所述多个电磁体的第一电磁体被配置以与第二电磁铁传递不同强度的磁场。
6.如权利要求1所述的处理系统,其特征在于,所述多个电磁体是独立可控的。
7.如权利要求1所述的处理系统,其特征在于,所述多个电磁体各自被配置以产生在电磁体之间相比具有不等强度的磁场,以使得所述掩膜的一个部分以比所述掩膜的另一部分更多的力来拉动。
8.一种用于工艺腔室中的基板载体,其特征在于,所述基板载体包含:
支撑基座,所述支撑基座被配置以传送基板进出所述工艺腔室,所述支撑基座具有基板支撑表面;和
耦接至所述支撑基座的电磁掩膜夹盘,所述电磁掩膜夹盘包含多个电磁体,所述多个电磁体可操作以透过所述基板载体将掩膜夹持至所述基板。
9.如权利要求8所述的基板载体,其特征在于,与所述基板支撑表面等距离定位所述多个电磁体。
10.如权利要求8所述的基板载体,其特征在于,所述多个电磁体与所述基板支撑表面之间的距离各有不同。
11.如权利要求8所述的基板载体,其特征在于,所述多个电磁体是长方形磁体。
12.如权利要求8所述的基板载体,其特征在于,所述多个电磁体是独立可控的。
13.如权利要求8所述的基板载体,其特征在于,所述电磁掩膜夹盘可操作以相继增加来自所述多个电磁体的磁场。
14.如权利要求8所述的基板载体,其特征在于,进一步包含电源,所述电源耦接至所述多个电磁体。
15.如权利要求12所述的基板载体,其特征在于,夹盘主体包含陶瓷材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造