[实用新型]可控温度系数的基准电压产生电路有效
| 申请号： | 201520393112.8 | 申请日： | 2015-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN204790660U | 公开（公告）日： | 2015-11-18 |
| 发明（设计）人： | 陈利;任连峰;姜帆;高耿辉;高伟钧 | 申请（专利权）人： | 厦门元顺微电子技术有限公司;大连连顺电子有限公司;友顺科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361008 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 可控 温度 系数 基准 电压 产生 电路 | ||
1.一种可控温度系数的基准电压产生电路，包括一第一三极管(Q1)、一第二三极管(Q2)、一第三三极管(Q3)、一第四三极管(Q4)、一第一MOS管(M1)、一第二MOS管(M2)、一第三MOS管(M3)、一第四MOS管(M4)、一第五MOS管(M5)、一第一电阻(R1)和一第二电阻(R2)，其特征在于：系统电源正端连接所述第三MOS管(M3)源极、所述第四MOS管(M4)源极和所述第五MOS管(M5)源极，所述第三MOS管(M3)漏极连接所述第一MOS管(M1)漏极、所述第一MOS管(M1)栅极和所述第二MOS管(M2)栅极，所述第三MOS管(M3)栅极连接所述第四MOS管(M4)栅极、所述第四MOS管(M4)漏极、所述第二MOS管(M2)漏极和所述第五MOS管(M5)栅极，所述第一MOS管(M1)源极连接所述第二三极管(Q2)发射极，所述第二三极管(Q2)基极连接所述第二三极管(Q2)极电极和所述第一三极管(Q1)发射极，所述第二MOS管(M2)源极连接所述第一电阻(R1)一端，所述第一电阻(R1)另一端连接一第二缓冲电路(Buffer2)正输入端和所述第四三极管(Q4)发射极，所述第四三极管(Q4)基极连接所述第四三极管(Q4)极电极和所述第三三极管(Q3)发射极，所述第五MOS管(M5)漏极连接一第一缓冲电路(Buffer1)正输入端和所述第二电阻(R2)一端，所述第一三极管(Q1)基极接地并连接所述第一三极管(Q1)极电极、所述第三三极管(Q3)基极、所述第三三极管(Q3)极电极和所述第二电阻(R2)另一端，所述第一缓冲电路(Buffer1)输出端作为该基准电压产生电路的正温度系数电压输出端(Vp)并连接所述第一缓冲电路(Buffer1)负输入端，所述第二缓冲电路(Buffer2)输出端作为该基准电压产生电路的负温度系数电压输出端(Vn)并连接所述第二缓冲电路(Buffer2)负输入端。
2.根据权利要求1所述的可控温度系数的基准电压产生电路，其特征在于：所述第一三极管(Q1)、第二三极管(Q2)、第三三极管(Q3)和第四三极管(Q4)均为PNP三极管。
3.根据权利要求1所述的可控温度系数的基准电压产生电路，其特征在于：所述第一MOS管(M1)和第二MOS管(M2)为尺寸比例1:1的NMOS管，所述第三MOS管(M3)和第四MOS管(M4)为尺寸比例为1:1的PMOS管；所述第五MOS管(M5)的电流为所述第四MOS管(M4)的镜像。
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