[实用新型]可控温度系数的基准电压产生电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种可控温度系数的基准电压产生电路。

背景技术

某些电子产品的工作环境温度变化较大，为了避免环境温度对电子产品的影响，会采用温度补偿的方法稳定产品的性能。一般采用热敏电阻的电阻值随温度的变化特性来补偿电子产品的温漂，但是热敏电阻的温度系数范围较为有限，另外不利于集成。

实用新型内容

本实用新型为解决上述问题，提供了一种可控温度系数的基准电压产生电路。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为：

一种可控温度系数的基准电压产生电路，包括一第一三极管(Q1)、一第二三极管(Q2)、一第三三极管(Q3)、一第四三极管(Q4)、一第一MOS管(M1)、一第二MOS管(M2)、一第三MOS管(M3)、一第四MOS管(M4)、一第五MOS管(M5)、一第一电阻(R1)和一第二电阻(R2)，其特征在于：系统电源正端连接所述第三MOS管(M3)源极、所述第四MOS管(M4)源极和所述第五MOS管(M5)源极，所述第三MOS管(M3)漏极连接所述第一MOS管(M1)漏极、所述第一MOS管(M1)栅极和所述第二MOS管(M2)栅极，所述第三MOS管(M3)栅极连接所述第四MOS管(M4)栅极、所述第四MOS管(M4)漏极、所述第二MOS管(M2)漏极和所述第五MOS管(M5)栅极，所述第一MOS管(M1)源极连接所述第二三极管(Q2)发射极，所述第二三极管(Q2)基极连接所述第二三极管(Q2)极电极和所述第一三极管(Q1)发射极，所述第二MOS管(M2)源极连接所述第一电阻(R1)一端，所述第一电阻(R1)另一端连接一第二缓冲电路(Buffer2)正输入端和所述第四三极管(Q4)发射极，所述第四三极管(Q4)基极连接所述第四三极管(Q4)极电极和所述第三三极管(Q3)发射极，所述第五MOS管(M5)漏极连接一第一缓冲电路(Buffer1)正输入端和所述第二电阻(R2)一端，所述第一三极管(Q1)基极接地并连接所述第一三极管(Q1)极电极、所述第三三极管(Q3)基极、所述第三三极管(Q3)极电极和所述第二电阻(R2)另一端，所述第一缓冲电路(Buffer1)输出端作为该基准电压产生电路的正温度系数电压输出端(Vp)并连接所述第一缓冲电路(Buffer1)负输入端，所述第二缓冲电路(Buffer2)输出端作为该基准电压产生电路的负温度系数电压输出端(Vn)并连接所述第二缓冲电路(Buffer2)负输入端。

优选的，所述第一三极管(Q1)、第二三极管(Q2)、第三三极管(Q3)和第四三极管(Q4)均为PNP三极管。

优选的，所述第一MOS管(M1)和第二MOS管(M2)为尺寸比例1:1的NMOS管，所述第三MOS管(M3)和第四MOS管(M4)为尺寸比例为1:1的PMOS管；所述第五MOS管(M5)的电流为所述第四MOS管(M4)的镜像。

本实用新型的有益效果是：

本实用新型可产生不同正温度系数和负温度系数的基准电压，温度系数正负、基准电压值可控，可集成于芯片中，适用于不同应用环境下电子产品或电子元件所需的温度补偿。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，构成本实用新型的一部分，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1为本实用新型正温度系数电压Vp和负温度系数电压Vn产生电路；

图2为本实用新型正温度系数和负温度系数电压叠加电路；

图3为本实用新型不同电压值的负温度系数电压产生电路。

具体实施方式

为了使本实用新型所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚、明白，以下结合附图和实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。