[实用新型]整流器件和电路有效
| 申请号： | 201520407349.7 | 申请日： | 2015-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN204885159U | 公开（公告）日： | 2015-12-16 |
| 发明（设计）人： | 全新;赖辉朋;张贵斌 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶导电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H05B37/02 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 518101 广东省深圳市宝安*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 整流 器件 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种整流器件，其特征在于，包括元胞区和位于所述元胞区周围的分压环区，所述分压环区包括环形的第一分压环和环形的第二分压环，所述第一分压环和第二分压环由导电杂质掺杂而成。
2.根据权利要求1所述的整流器件，其特征在于，所述第一分压环和第二分压环的环宽均在8微米～12微米之间。
3.根据权利要求2所述的整流器件，其特征在于，所述第一分压环和第二分压环的环宽为10微米。
4.根据权利要求1所述的整流器件，其特征在于，所述第一分压环和第二分压环之间的环距在30微米～40微米之间。
5.根据权利要求4所述的整流器件，其特征在于，所述第一分压环和第二分压环之间的环距为35微米。
6.根据权利要求1所述的整流器件，其特征在于，所述第一分压环和第二分压环的掺杂深度在15微米～20微米之间。
7.根据权利要求6所述的整流器件，其特征在于，所述第一分压环和第二分压环的掺杂深度为17微米。
8.根据权利要求1所述的整流器件，其特征在于，所述整流器件采用TO-92封装。
9.根据权利要求1所述的整流器件，其特征在于，所述整流器件为功率三极管。
10.一种电路，其特征在于，包括权利要求1～9任一项所述的整流器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
