[实用新型]整流器件和电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子器件领域，特别是涉及一种整流器件和一种电路。

背景技术

近年来随着发光二极管照明技术的不断发展，对与之配套的驱动电源也提出了新的要求。不但要求具有良好的稳压、恒流特性，还要求更小的体积和更加廉价的驱动电源。

由于发光二极管驱动电源电路的不断改善及新材料的出现，对其中的主要功率变换元件的反向击穿电压要求越来越高。目前，普遍应用在发光二极管驱动电源电路的功率三极管，其集电极-基极的反向击穿电压一般都以大于700伏为标准。但在实际应用中，某些特殊电路因为电路结构、元件材料等因素，施加在三极管集电极上面的峰值电压往往超过700伏。因此，在发光二极管驱动电源的生产、应用中，很容易造成驱动电源的损坏。为此，迫切需要一种更加耐压的功率三极管，以适应目前发光二极管驱动电源电路的需求。

实用新型内容

基于此，有必要提供一种更加耐压的整流器件。此外，还提供一种应用该整流器件的电路。

一种整流器件，包括元胞区和位于所述元胞区周围的分压环区，所述分压环区包括环形的第一分压环和环形的第二分压环，所述第一分压环和第二分压环由导电杂质掺杂而成。

在其中一个实施例中，所述第一分压环和第二分压环的环宽均在8微米～12微米之间。

在其中一个实施例中，所述第一分压环和第二分压环的环宽为10微米。

在其中一个实施例中，所述第一分压环和第二分压环之间的环距在30微米～40微米之间。

在其中一个实施例中，所述第一分压环和第二分压环之间的环距为35微米。

在其中一个实施例中，所述第一分压环和第二分压环的掺杂深度在15微米～20微米之间。

在其中一个实施例中，所述第一分压环和第二分压环的掺杂深度为17微米。

在其中一个实施例中，所述整流器件采用TO-92封装。

在其中一个实施例中，所述整流器件为功率三极管。

一种电路，包括上述的整流器件。

上述整流器件，分压环区包括环形的第一分压环和环形的第二分压环，相对于传统的单分压环结构，双分压环结构可以有效提高功率器件的反向击穿电压。以功率三极管为例，经过试验证明，采用上述结构的功率三极管的集电极-基极的反向击穿电压可以达到800多伏甚至900多伏，远优于传统功率三极管的700多伏。采用上述整流器件的电路，可以有效降低电路故障几率。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他实施例的附图。

图1为一个实施例的整流器件示意图。

具体实施方式

为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的较佳实施例。但是，本实用新型可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容的理解更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在限制本实用新型。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

图1为一个实施例的整流器件示意图。

一种整流器件，包括元胞区100和位于元胞区100周围的分压环区200。分压环区200包括环形的第一分压环210和环形的第二分压环220，第一分压环210和第二分压环220包括由导电杂质掺杂而成的掺杂区域，导电杂质可以是P型导电类型杂质，例如可以是硼离子。导电杂质的注入剂量可以在每平方厘米1e12～1e13之间。