[实用新型]一种PECVD射频系统进电组件有效

专利信息
申请号: 201520409287.3 申请日: 2015-06-12
公开(公告)号: CN204792697U 公开(公告)日: 2015-11-18
发明(设计)人: 陆亮亮;郭必玉;田振超 申请(专利权)人: 江苏武进汉能光伏有限公司
主分类号: H01L21/205 分类号: H01L21/205;H01R11/01
代理公司: 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 代理人: 徐琳淞
地址: 213000 江苏省常州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 pecvd 射频 系统 组件
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种薄膜沉积技术领域,特别涉及一种沉积硅基薄膜和硅基合金薄膜的一种PECVD射频系统进电组件。

背景技术

薄膜太阳能电池是多层器件,典型的薄膜太阳能电池通常包括玻璃基板、透明导电前电极、p-i-n叠层结构,以及背电极和背保护板等。其中p-i-n叠层结构的p层为p型掺杂的薄膜硅层、i层非掺杂或本征的薄膜硅层、n层为n型掺杂的薄膜硅层。p层和n层在i层两侧之间建立内部电场,收集i层中的由入射光能产生的光致载流子。这个p-i-n叠层组合称为一个光电单元,或一个“结”。单结薄膜太阳能电池含有单一的光电单元,而多结薄膜太阳能电池则含有两个或多个叠加在一起的光电单元。

大面积薄膜太阳能电池的p-i-n叠层结构的各层是利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺在大型PECVD沉积设备中沉积而成的。现有的沉积工艺大多是利用连续输出的射频功率电离反应气体。但是,设备中的射频系统连接件较多,无形中增加了很多阻抗,从而造成射频电源在传输过程中产生射频反射,使p-i-n结中的镀层结构造成缺失,进一步导致整体功率大幅度下降。

整个射频连接件中,以PECVD设备端和工件架设备端相连接的进电组件故障率最高,但凡进电组件故障只能进行更换,这样就要备足备品备件。反之如果能及时现场加工进电组件那就可以很大程度的解决时间、空间问题。

实用新型内容

本实用新型的目的是解决上述提出的问题,提供一种降低进电组件故障率,提高进电组件的使用寿命的一种PECVD射频系统进电组件。

实现本实用新型目的的技术方案是:本实用新型的一种PECVD射频系统进电组件,具有本体;所述本体包括紫铜镀锡编织网、铜线和不锈钢接头,所述铜线一端套接在紫铜镀锡编织网的内径孔里,其另一端通过不锈钢接头封闭连接。

更进一步的优化方案是,上述的一种PECVD射频系统进电组件,所述铜线通过四氟管插接在所述紫铜镀锡编织网内。

更进一步的优化方案是,上述的一种PECVD射频系统进电组件,所述紫铜镀锡编织网的每根丝的端面面积为6平方毫米。

更进一步的优化方案是,上述的一种PECVD射频系统进电组件,所述四氟管分别由4*6规格的四氟管、6*8规格的四氟管和8*10规格的四氟管依次套接。

更进一步的优化方案是,上述的一种PECVD射频系统进电组件,所述铜线的规格为10平方毫米。

本实用新型具有积极的效果:(1)、本实用新型的进电组件可以随时随地的加工进电组件,及时跟换无需等待备品备件。

(2)、原有的进电组件单根售价较高,只能在故障后进行更换;而本实用新型的进电组件成本低,不仅可以估算使用寿命后提前批量性更换,而且降低进电组件寿命到期导致产品不良。

附图说明

为了使本实用新型的内容更容易被清楚地理解,下面根据具体实施例并结合附图,对本实用新型作进一步详细的说明,其中

图1为本实用新型的结构示意图;

附图标记:1、本体,2、紫铜镀锡编织网,3、铜线,4、不锈钢接头,5、四氟管

具体实施方式

见图1所示,本实用新型的一种PECVD射频系统进电组件,具有本体1;所述本体1包括紫铜镀锡编织网2、铜线3和不锈钢接头4,所述铜线3一端套接在紫铜镀锡编织网2的内径孔里,其另一端通过不锈钢接头4封闭连接。所述铜线3通过四氟管5插接在所述紫铜镀锡编织网2内。所述紫铜镀锡编织网2的每根丝的端面面积为6平方毫米。所述四氟管5分别由4*6规格的四氟管、6*8规格的四氟管和8*10规格的四氟管依次套接。所述铜线的规格为10平方毫米。

以上所述的具体实施例,对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本实用新型的具体实施例而已,并不用于限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

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