[实用新型]一种PECVD射频系统进电组件有效
申请号: | 201520409287.3 | 申请日: | 2015-06-12 |
公开(公告)号: | CN204792697U | 公开(公告)日: | 2015-11-18 |
发明(设计)人: | 陆亮亮;郭必玉;田振超 | 申请(专利权)人: | 江苏武进汉能光伏有限公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01R11/01 |
代理公司: | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人: | 徐琳淞 |
地址: | 213000 江苏省常州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 pecvd 射频 系统 组件 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种薄膜沉积技术领域,特别涉及一种沉积硅基薄膜和硅基合金薄膜的一种PECVD射频系统进电组件。
背景技术
薄膜太阳能电池是多层器件,典型的薄膜太阳能电池通常包括玻璃基板、透明导电前电极、p-i-n叠层结构,以及背电极和背保护板等。其中p-i-n叠层结构的p层为p型掺杂的薄膜硅层、i层非掺杂或本征的薄膜硅层、n层为n型掺杂的薄膜硅层。p层和n层在i层两侧之间建立内部电场,收集i层中的由入射光能产生的光致载流子。这个p-i-n叠层组合称为一个光电单元,或一个“结”。单结薄膜太阳能电池含有单一的光电单元,而多结薄膜太阳能电池则含有两个或多个叠加在一起的光电单元。
大面积薄膜太阳能电池的p-i-n叠层结构的各层是利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺在大型PECVD沉积设备中沉积而成的。现有的沉积工艺大多是利用连续输出的射频功率电离反应气体。但是,设备中的射频系统连接件较多,无形中增加了很多阻抗,从而造成射频电源在传输过程中产生射频反射,使p-i-n结中的镀层结构造成缺失,进一步导致整体功率大幅度下降。
整个射频连接件中,以PECVD设备端和工件架设备端相连接的进电组件故障率最高,但凡进电组件故障只能进行更换,这样就要备足备品备件。反之如果能及时现场加工进电组件那就可以很大程度的解决时间、空间问题。
实用新型内容
本实用新型的目的是解决上述提出的问题,提供一种降低进电组件故障率,提高进电组件的使用寿命的一种PECVD射频系统进电组件。
实现本实用新型目的的技术方案是:本实用新型的一种PECVD射频系统进电组件,具有本体;所述本体包括紫铜镀锡编织网、铜线和不锈钢接头,所述铜线一端套接在紫铜镀锡编织网的内径孔里,其另一端通过不锈钢接头封闭连接。
更进一步的优化方案是,上述的一种PECVD射频系统进电组件,所述铜线通过四氟管插接在所述紫铜镀锡编织网内。
更进一步的优化方案是,上述的一种PECVD射频系统进电组件,所述紫铜镀锡编织网的每根丝的端面面积为6平方毫米。
更进一步的优化方案是,上述的一种PECVD射频系统进电组件,所述四氟管分别由4*6规格的四氟管、6*8规格的四氟管和8*10规格的四氟管依次套接。
更进一步的优化方案是,上述的一种PECVD射频系统进电组件,所述铜线的规格为10平方毫米。
本实用新型具有积极的效果:(1)、本实用新型的进电组件可以随时随地的加工进电组件,及时跟换无需等待备品备件。
(2)、原有的进电组件单根售价较高,只能在故障后进行更换;而本实用新型的进电组件成本低,不仅可以估算使用寿命后提前批量性更换,而且降低进电组件寿命到期导致产品不良。
附图说明
为了使本实用新型的内容更容易被清楚地理解,下面根据具体实施例并结合附图,对本实用新型作进一步详细的说明,其中
图1为本实用新型的结构示意图;
附图标记:1、本体,2、紫铜镀锡编织网,3、铜线,4、不锈钢接头,5、四氟管
具体实施方式
见图1所示,本实用新型的一种PECVD射频系统进电组件,具有本体1;所述本体1包括紫铜镀锡编织网2、铜线3和不锈钢接头4,所述铜线3一端套接在紫铜镀锡编织网2的内径孔里,其另一端通过不锈钢接头4封闭连接。所述铜线3通过四氟管5插接在所述紫铜镀锡编织网2内。所述紫铜镀锡编织网2的每根丝的端面面积为6平方毫米。所述四氟管5分别由4*6规格的四氟管、6*8规格的四氟管和8*10规格的四氟管依次套接。所述铜线的规格为10平方毫米。
以上所述的具体实施例,对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本实用新型的具体实施例而已,并不用于限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造