[实用新型]一种发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201520410303.0 | 申请日： | 2015-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN204651354U | 公开（公告）日： | 2015-09-16 |
| 发明（设计）人： | 吴哲雄;吕瞻暘;曾晓强;刘建科;林聪辉;白梅英 | 申请（专利权）人： | 晶宇光电(厦门)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62 |
| 代理公司： | 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218 | 代理人： | 汤云武 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 | ||
1.一种发光二极管芯片，其特征在于：
包括基板，在该基板之一表面上分布有多个发光二极管单元，相邻发光二极管单元之间具有隔离区使该发光二极管单元相互分离；
每个发光二极管单元上分布有第一型延伸电极和第二型延伸电极；
一透明绝缘层覆盖该多个发光二极管单元；
多个导电通道分布于该透明绝缘层中且穿过该透明绝缘层，每个发光二极管单元的该第一型延伸电极与该第二型延伸电极分别通过至少一个导电通道连通该透明绝缘层的上端面；
该透明绝缘层上设有第一型电极、第二型电极和多个电极连接层；
该第一型电极通过至少一个该导电通道电连接至少一个发光二极管单元上的一个或多个该第一型延伸电极；
该第二型电极通过至少一个该导电通道电连接至少一个发光二极管单元上的一个或多个该第二型延伸电极；
各不同该发光二极管单元上的同型延伸电极或不同型延伸电极通过该导电通道和该电极连接层电连接，使该多个发光二极管单元形成电连接。
2.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片，其特征在于：该多个发光二极管单元通过该导电通道和该电极连接层电连接成串联、并联或串并联。
3.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片，其特征在于：该透明绝缘层还延伸至所有该隔离区并覆盖所有该隔离区。
4.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片，其特征在于：该多个发光二极管单元包含第一型半导体层、第二型半导体层以及位于该第一型半导体层与该第二型半导体层之间的一发光层，该第一型延伸电极位于该第一型半导体层上，该第二型延伸电极位于该第二型半导体层上。
5.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片，其特征在于：该透明绝缘层上端面相对于该基板之一表面的高度为一致，该透明绝缘层上端面与每个发光二极管单元的最小距离大于10μm。
6.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片，其特征在于：该多个发光二极管单元通过多个该电极连接层和该导电通道电连接形成一交流发光二极管芯片。
7.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片，其特征在于：每个发光二极管单元上的第一型延伸电极有多个，每个发光二极管单元上的该多个第一型延伸电极利用该导电通道和该电极连接层形成电连接；和/或每个发光二极管单元上的第二型延伸电极有多个，每个发光二极管单元上的该多个第二型延伸电极利用该导电通道和该电极连接层形成电连接。
8.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片，其特征在于：该第一型电极通过至少一个该导电通道与不同发光二极管单元上的同型延伸电极或不同型延伸电极同时电连接，该第二型电极通过至少一个该导电通道与不同发光二极管单元上的同型延伸电极或不同型延伸电极同时电连接。
9.根据权利要求1至8任一项所述的一种发光二极管芯片，其特征在于：该透明绝缘层为多层结构。
10.根据权利要求9所述的一种发光二极管芯片，其特征在于：该多层结构包括覆盖两两相邻的该发光二极管单元侧壁之第一透明绝缘层、填满该隔离区之第二透明绝缘层和同时覆盖该第二透明绝缘层与该多个发光二极管单元表面之第三透明绝缘层。
11.根据权利要求10所述的一种发光二极管芯片，其特征在于：该第二透明绝缘层为涂布玻璃。
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