[实用新型]一种发光二极管芯片有效
申请号: | 201520410303.0 | 申请日: | 2015-06-15 |
公开(公告)号: | CN204651354U | 公开(公告)日: | 2015-09-16 |
发明(设计)人: | 吴哲雄;吕瞻暘;曾晓强;刘建科;林聪辉;白梅英 | 申请(专利权)人: | 晶宇光电(厦门)有限公司 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62 |
代理公司: | 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218 | 代理人: | 汤云武 |
地址: | 361000 福建省厦门*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发光二极管 芯片 | ||
技术领域
本实用新型涉及发光二极管芯片制造领域,尤其是一种由多个发光二极管单元集成的发光二极管芯片。
背景技术
集成式发光二极管芯片是把多个发光二极管单元集成在一个基板上,然后各个发光二极管单元之间形成电学连接,最终组合成一个发光芯片与外部电源连接发光。
附图1所示是一种现有集成发光二极管芯片剖视结构图,其各个发光二极管单元20集成在一个基板1a上,发光二极管单元20之间采用跨接电极层30形成电学连接,跨接电极层30下方及发光二极管单元20之间具有绝缘层60,头尾的发光二极管单元分别设有第二型电极100b及第一型电极100a。这种集成芯片存在以下问题,一是采用这种跨接的方式局限了电极线路的布局,难于实现复杂的混合连接;二是绝缘层及发光二极管单元之间存在高低落差,跨接电极层30存在断裂风险,降低集成芯片的可靠性;三是在各发光二极管单元20内电流分布未能达到较佳水平。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种由多个发光二极管单元集成的发光二极管芯片,芯片内各发光二极管单元之间可以实现灵活的电性连接,并使芯片内每个发光二极管单元有更加均匀的电流分布。
为达到上述目的,本实用新型的技术方案是:一种发光二极管芯片,包括基板,在该基板之一表面上分布有多个发光二极管单元,相邻发光二极管单元之间具有隔离区使该发光二极管单元相互分离;
每个发光二极管单元上分布有第一型延伸电极和第二型延伸电极;
一透明绝缘层覆盖该多个发光二极管单元;
多个导电通道分布于该透明绝缘层中且穿过该透明绝缘层,每个发光二极管单元的该第一型延伸电极与该第二型延伸电极分别通过至少一个导电通道连通该透明绝缘层的上端面;
该透明绝缘层上设有第一型电极、第二型电极和多个电极连接层;
该第一型电极通过至少一个该导电通道电连接至少一个发光二极管单元上的一个或多个该第一型延伸电极;
该第二型电极通过至少一个该导电通道电连接至少一个发光二极管单元上的一个或多个该第二型延伸电极;
各不同发光二极管单元上的同型延伸电极或不同型延伸电极通过该导电通道和该电极连接层电连接,使该多个发光二极管单元形成电连接。
优选该多个发光二极管单元通过该导电通道和该电极连接层电连接成串联、并联或串并联关系。
进一步,该透明绝缘层还延伸至所有该隔离区并覆盖所有该隔离区。以确保各个发光二极管单元之间形成电学隔离。
优选该发光二极管单元包含第一型半导体层、第二型半导体层以及位于该第一型半导体层与该第二型半导体层之间的一发光层,该第一型延伸电极位于该第一型半导体层上,该第二型延伸电极位于该第二型半导体层上。
进一步,该透明绝缘层上端面相对于该基板之一表面的高度为一致,该透明绝缘层上端面与每个发光二极管单元的最小距离大于10μm。该透明绝缘层上端面保持平坦性,防止制造时各发光二极管单元之间电性连接不良,使器件电学连接更具稳定性,提高良品率;另外使该透明绝缘层上端面与每个发光二极管单元的最小距离大于10μm,拉开第一型电极、第二型电极和多个电极连接层与发光层的距离,提高光线的出光角度,以提高亮度。
优选该多个发光二极管单元通过多个该电极连接层和该导电通道电连接形成一交流发光二极管芯片。
进一步,每个发光二极管单元上的第一型延伸电极有多个,每个发光二极管单元上的该多个第一型延伸电极利用该导电通道和该电极连接层形成电连接;和/或每个发光二极管单元上的第二型延伸电极有多个,每个发光二极管单元上的该多个第二型延伸电极利用该导电通道和该电极连接层形成电连接。通过设置多个第一型延伸电极和多个第二型延伸电极,可使发光二极管单元内的电流分布更加均匀。
进一步,该第一型电极通过该导电通道与不同发光二极管单元上的同型延伸电极或不同型延伸电极同时电连接,该第二型电极通过该导电通道与不同发光二极管单元上的同型延伸电极或不同型延伸电极同时电连接。
进一步,该透明绝缘层为多层结构。以利于透明绝缘层的制备,特别是方便相邻发光二极管单元之间隔离区的充填,保证透明绝缘层上端面为平坦型。
优选该多层结构包括覆盖两两相邻发光二极管单元侧壁之第一透明绝缘层、填满该隔离区之第二透明绝缘层和同时覆盖该第二透明绝缘层与该多个发光二极管单元表面之第三透明绝缘层。进一步优选该第二透明绝缘层为涂布玻璃。
附图说明
图1是一种现有集成发光二极管芯片剖视结构图;
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