[实用新型]高精度抗干扰比较器及应用该比较器的存储器结构

权利要求书

1.一种高精度抗干扰比较器，其特征在于，包括放大器以及调整模块；

放大器的输入端连接参考电压信号线和输入电压信号线，放大器的输出接调整模块；

调整模块，用于调整放大器的灵敏度，使放大器工作状态灵敏度高于非工作状态；或使放大器不工作状态灵敏度低于工作状态。

2.根据权利要求1所述的一种高精度抗干扰比较器，其特征在于，调整模块为偏置电流改变模块；偏置电流改变模块，用于根据放大器的输出端信号改变放大器的输入偏置电流，使放大器工作状态的输入偏置电流小于非工作状态的输入偏置电流，进而使放大器工作状态的放大倍数大于非工作状态的放大倍数，即使放大器工作状态的灵敏度大于非工作状态的灵敏度。

3.根据权利要求2所述的一种高精度抗干扰比较器，其特征在于，偏置电流改变模块为电流镜，电流镜的镜像电流为放大器提供偏置电流，电流镜提供偏置电流的支路为两路，一路固定接入，另一路通过开关接入，所述开关的状态由放大器的输出控制。

4.根据权利要求2所述的一种高精度抗干扰比较器，其特征在于，偏置电流改变模块为共源共栅电流镜，共源共栅电流镜的镜像电流为放大器提供偏置电流，提供偏置电流支路中的共栅级MOS管的源级通过另一开关连接到地，所述另一开关的状态由放大器的输出控制。

5.根据权利要求1所述的一种高精度抗干扰比较器，其特征在于，调整模块为放大器的一部分或者为外设电路。

6.根据权利要求3或4任一所述的一种高精度抗干扰比较器，其特征在于，所述开关为MOS管。

7.应用高精度抗干扰比较器的存储器结构，其特征在于，包括权利要求2或3所述的一种高精度抗干扰比较器；还包括控制模块，参考支路和存储单元支路；比较器的正相输入端接参考支路，用于生成参考电压；比较器的反相输入端接存储单元支路，用于生成输入电压；存储单元支路中包括存储单元。

8.根据权利要求7所述的应用高精度抗干扰比较器的存储器结构，其特征在于，存储单元支路为：存储单元依次接MOS管MN43和MOS管MN41，MOS管MN41的漏极接比较器的反相输入端，MN41的漏极通过电阻R41接到电源；MOS管MN43的源级接存储单元，MOS管MN43的漏极与MOS管MN41的源级相连；参考支路为：参考电流依次接MOS管MN44和MOS管MN42，MOS管MN42的漏极接比较器的正相输入端，同时MOS管MN42的漏极通过电阻R42接到电源；MOS管MN44的源级接参考电流，MOS管MN44的漏极与MOS管MN42的源级相连；钳位MOS管MN41和MN42的栅极接钳位信号，使能MOS管MN43和MN44分别接第一使能信号和第二使能信号；所述控制模块，用于在降低比较器的灵敏度后，在比较器的进入下次正常工作状态之前，通过控制偏置电流改变模块将比较器的灵敏度提高到工作时的状态。

9.根据权利要求8所述的应用高精度抗干扰比较器的存储器结构，其特征在于，存储单元为RRAM存储单元。

10.根据权利要求9所述的应用高精度抗干扰比较器的存储器结构，其特征在于，RRAM存储单元是1T1R结构。