[实用新型]高精度抗干扰比较器及应用该比较器的存储器结构

说明书

【技术领域】

本实用新型涉及电子技术领域，具体涉及一种高精度抗干扰比较器及应用该比较器的存储器结构。

【背景技术】

在电路中，比较器是一种常用的功能单元。通常主要由放大器来实现。如图1所示，为一个最常用的比较器，它主要由放大器和反相器(非门)组成。放大器的输入端分别为参考电压和输入。参考电压用来确定比较器比较的阈值，而输入即为被比较器比较检测的信号。输入信号经放大器比较之后经过两个反相器整形后输出。

对于图1中的现有比较器，因为实际工作中由于噪声等的干扰，该比较器的输出可能会不稳定，甚至会输出错误的结果。因此为了解决上述问题，迟滞比较器被提出，如图2所示。迟滞比较器在参考电压输入端接入串联的电阻R0、R1和R2，同时输出通过反馈回路控制串联电阻R2的接入状态，从而就通过电阻R0、R1和R2串联电阻值的改变，就可以改变比较器的阈值电压。从而可以在一定程度上避免噪声的干扰。

但是，迟滞比较器也有缺点，迟滞比较器的比较电压值是一个电压范围而不是一个电压值，因此迟滞比较器的精度就会低，同时它的抗干扰能力也是有限的。

同时，在存储器中进行数据的读取时需要用到比较器。通常为了能够读出数据，存储器中读取数据的比较器需要很高的灵敏度，但是，由于存储器中的存储单元中信号的不确定性以及噪声等的干扰，有时因为比较器的灵敏度太高可能会有误动作产生。这样会使读出的数据错误，影响存储器的准确率，而读出数据的准确率是衡量存储器优劣的一个非常重要的指标。

【实用新型内容】

本实用新型的目的在于提供一种高精度抗干扰比较器及应用该比较器的存储器结构，以解决上述技术问题。

为了实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种高精度抗干扰比较器，包括放大器以及调整模块；放大器的输入端连接参考电压信号线和输入电压信号线，放大器的输出接调整模块；调整模块，用于调整放大器的灵敏度，使放大器工作状态灵敏度高于非工作状态；或使放大器不工作状态灵敏度低于工作状态。

本实用新型进一步的改进在于：调整模块为偏置电流改变模块；偏置电流改变模块，用于根据放大器的输出端信号改变放大器的输入偏置电流，使放大器工作状态的输入偏置电流小于非工作状态的输入偏置电流，进而使放大器工作状态的放大倍数大于非工作状态的放大倍数，即使放大器工作状态的灵敏度大于非工作状态的灵敏度。

本实用新型进一步的改进在于：偏置电流改变模块为电流镜，电流镜的镜像电流为放大器提供偏置电流，电流镜提供偏置电流的支路为两路，一路固定接入，另一路通过开关接入，所述开关的状态由放大器的输出控制。

本实用新型进一步的改进在于：偏置电流改变模块为共源共栅电流镜，共源共栅电流镜的镜像电流为放大器提供偏置电流，提供偏置电流支路中的共栅级MOS管的源级通过另一开关连接到地，所述另一开关的状态由放大器的输出控制。

本实用新型进一步的改进在于：所述开关为MOS管。

本实用新型进一步的改进在于：调整模块为放大器的一部分或者为外设电路。

应用高精度抗干扰比较器的存储器结构，包括高精度抗干扰比较器；还包括存储单元支路、参考支路和控制模块；存储单元支路包括存储单元；在比较器的正相输入端接参考支路，用于生成参考电压；在比较器的反相输入端接存储单元支路，用于生成输入电压。

本实用新型进一步的改进在于：

存储单元支路为：存储单元依次接MOS管MN43和MOS管MN41，MOS管MN41的漏极接比较器的反相输入端，MN41的漏极通过电阻R41接到电源；MOS管MN43的源级接存储单元，MOS管MN43的漏极与MOS管MN41的源级相连；参考支路为：参考电流依次接MOS管MN44和MOS管MN42，MOS管MN42的漏极接比较器的正相输入端，同时MOS管MN42的漏极通过电阻R42接到电源；MOS管MN44的源级接参考电流，MOS管MN44的漏极与MOS管MN42的源级相连；钳位MOS管MN41和MN42的栅极接钳位信号，使能MOS管MN43和MN44分别接第一使能信号和第二使能信号；所述控制模块，用于在降低比较器的灵敏度后，在比较器的进入下次正常工作状态之前，通过控制偏置电流改变模块将比较器的灵敏度提高到工作时的状态。

本实用新型进一步的改进在于：存储单元为RRAM存储单元。

本实用新型更进一步的改进在于：RRAM存储单元是1T1R结构。

相对于现有技术，本实用新型具有以下有益效果：

1、在比较器比较时灵敏度很高，能够实现高精度的比较；