[实用新型]绝缘栅双极型晶体管驱动电路有效
| 申请号： | 201520434371.0 | 申请日： | 2015-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN204733144U | 公开（公告）日： | 2015-10-28 |
| 发明（设计）人： | 雷龙;李进;钱强;郝占聚 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/567 | 分类号： | H03K17/567 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆;胡彬 |
| 地址： | 519070 广东省珠海*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅双极型 晶体管 驱动 电路 | ||
1.一种绝缘栅双极型晶体管驱动电路，其特征在于，包括：
第一与非门模块，所述第一与非门模块的两个输入端分别与第一输入信号和高电平输入信号相连接；
第二与非门模块，所述第二与非门模块的两个输入端均与第二输入信号相连接；
第三与非门模块，所述第三与非门模块的两个输入端分别与所述第二输入信号和所述高电平输入信号相连接；
第四与非门模块，所述第四与非门模块的两个输入端均与所述第一输入信号相连接；
第一场效应管，其栅极与所述第一与非门模块的输出端相连接，其漏极与所述第二与非门模块的输出端相连接，并且，其漏极与被驱动的第一绝缘栅双极型晶体管IGBT的栅极相连接，用于驱动所述第一绝缘栅双极型晶体管IGBT；
第二场效应管，其栅极与所述第三与非门模块的输出端相连接，其漏极与所述第四与非门模块的输出端相连接，并且，其漏极与被驱动的第二绝缘栅双极型晶体管IGBT的栅极相连接，用于驱动所述第二绝缘栅双极型晶体管IGBT。
2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管驱动电路，其特征在于，所述第二与非门模块的输出端与所述第一场效应管的漏极之间还连接有第一限流电阻，所述第四与非门模块的输出端与所述第二场效应管的漏极之间还连接有第二限流电阻。
3.根据权利要求1或2所述的绝缘栅双极型晶体管驱动电路，其特征在于，所述第一场效应管包括：结型场效应管或者金属-氧化物半导体场效应管；所述第二场效应管包括：结型场效应管或者金属-氧化物半导体场效应管。
4.根据权利要求1或2所述的绝缘栅双极型晶体管驱动电路，其特征在于，所述第一与非门模块至第四与非门模块包括：74LS00系列与非门模块或者CD4011系列与非门模块。
5.根据权利要求2所述的绝缘栅双极型晶体管驱动电路，其特征在于，所述第一限流电阻及所述第二限流电阻为片状电阻。
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