[实用新型]绝缘栅双极型晶体管驱动电路

说明书

技术领域

本实用新型实施例涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种绝缘栅双极型晶体管驱动电路。

背景技术

近年来，基于H全桥结构的逆变器因其模块化、易于安装、扩展方便等优点，在变频调速、无功补偿的领域得到了广泛应用。绝缘栅双极型晶体管(Insulated gate bipolar transistor,IGBT)既具有功率场效应晶体管(MOS FET)高速、高输入阻抗、易驱动的特点，又具有双极达林顿功率晶体管GTO饱和电压低、电流容量大、高反压等优点。因此，IGBT成为H全桥结构中理想的功率器件。

图1示出了H全桥的电路结构。参见图1，在H全桥结构中，用来控制相互串联的两个IGBT的控制信号在理想的状态下应该是具有相反的极性。也就是说，当相互串联的两个IGBT中的一个的控制信号是低电平时，另一个的控制信号应该时高电平。但是，由于信号传输滞后等原因，两个控制信号会出现在特定时间点上具有相同极性的情况。而当两个控制信号都是低电平信号时，一旦IGBT的栅极电压受到干扰，变为高电平，则包括两个IGBT的H全桥的桥臂容易发生桥臂直通的故障。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型实施例提出一种绝缘栅双极型晶体管驱动电路，以克服绝缘栅双极型晶体管的桥臂直通的问题。

本实用新型实施例提供了一种绝缘栅双极型晶体管驱动电路，所述驱动电路包括：

第一与非门模块，所述第一与非门模块的两个输入端分别与第一输入信号和高电平输入信号相连接；

第二与非门模块，所述第二与非门模块的两个输入端均与第二输入信号相连接；

第三与非门模块，所述第三与非门模块的两个输入端分别与所述第二输入信号和所述高电平输入信号相连接；

第四与非门模块，所述第四与非门模块的两个输入端均与所述第一输入信号相连接；

第一场效应管，其栅极与所述第一与非门模块的输出端相连接，其漏极与所述第二与非门模块的输出端相连接，并且，其漏极与被驱动的第一绝缘栅双极型晶体管IGBT的栅极相连接，用于驱动所述第一绝缘栅双极型晶体管IGBT；

第二场效应管，其栅极与所述第三与非门模块的输出端相连接，其漏极与所述第四与非门模块的输出端相连接，并且，其漏极与被驱动的第二绝缘栅双极型晶体管IGBT的栅极相连接，用于驱动所述第二绝缘栅双极型晶体管IGBT。

本实用新型实施例提供的绝缘栅双极型晶体管驱动电路，通过四个与非门的信号转换，使得输入信号均为低电平时，与被驱动的IGBT相并联的两个场效应管均导通，实现了对IGBT的旁路分流，有效的防止了IGBT的桥臂出现桥臂直通的情况。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1是现有技术提供的H桥的电路结构图；

图2是本实用新型实施例提供的绝缘栅双极型晶体管驱动电路的电路原理图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅用于解释本实用新型，而非对本实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部内容。

本实用新型实施例提供了绝缘栅双极型晶体管驱动电路的一种技术方案。在该技术方案中，参见图2，所述绝缘栅双极型晶体管驱动电路包括：第一与非门模块U1、第二与非门模块U2、第三与非门模块U3、第四与非门模块U4、第一场效应管Q1以及第二场效应管Q2。

所述第一与非门模块U1的两个输入端分别与第一输入信号及一个高电平信号相连接。所述第一与非门模块U1的输出端与所述第一场效应管的栅极相连接。因此，由所述第一与非门模块U1输出的第一输入信号及所述高电平信号的与非信号用来控制所述第一场效应管的导通与关断。

所述第二与非门模块U2的两个输入端分别与所述第二输入信号相连接。并且，所述第二与非门模块U2的输出端与所述第一场效应管的漏极相连接。

所述第三与非门模块U3的两个输入端分别与第二输入信号及所述高电平信号相连接。所述第三与非门模块U3的输出端与所述第二场效应管的栅极相连接。因此，由所述第三与非门模块U3输出的第三输入信号及所述高电平信号的与非信号用来控制所述第二场效应管的导通与关断。

所述第四与非门模块U4的两个输入端分别与所述第一输入信号相连接。并且，所述第四与非门模块U4的输出端与所述第二场效应管的漏极相连接。