[实用新型]一种新型LED倒装芯片有效
| 申请号： | 201520437496.9 | 申请日： | 2015-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN204680684U | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 张瑞 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/10 |
| 代理公司： | 北京爱普纳杰专利代理事务所(特殊普通合伙) 11419 | 代理人： | 何自刚 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 led 倒装 芯片 | ||
1.一种新型LED倒装芯片，其特征在于，该新型LED倒装芯片从上至下顺序设置有：衬底、外延层、P型电极和N型电极，其中，
所述衬底，为蓝宝石衬底，设置在所述新型LED倒装芯片顶层，与所述外延层相连接；
所述外延层，其上表面与所述衬底底面相连接，下表面与所述P型电极相连接，该外延层内含有n-GaN，其从上至下顺序设置有：N型导电层、发光层和P型导电层；
所述N型导电层，其上表面与所述衬底底面相连接，其下表面的部分与所述发光层相连接，同时该N型导电层的下表面与所述发光层未连接的部分与所述N型电极相连接；
所述发光层，其上表面与所述N型导电层的下表面的部分相连接，该发光层的下表面与所述P型导电层的上表面相连接；
所述P型导电层，其上表面与所述发光层的下表面相连接，该P型导电层的中部以下设置有透明导电层，该透明导电层的下表面与所述P型电极相连接；
所述衬底与所述外延层相连接的左右边缘为倾斜角设计，该倾斜角的外表面镀有一层DBR。
2.根据权利要求1所述的一种新型LED倒装芯片，其特征在于，所述DBR，进一步为11至29层的二氧化硅层、11至29层的二氧化钛层或11至29层的二氧化硅和二氧化钛混合层。
3.根据权利要求1所述的一种新型LED倒装芯片，其特征在于，所述N型电极与所述N型导电层之间设置有至少2个贯穿孔。
4.根据权利要求1所述的一种新型LED倒装芯片，其特征在于，所述透明导电层的下表面与所述P型电极之间设置有绝缘钝化层。
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