[实用新型]一种新型LED倒装芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体二极管领域，具体地说，本实用新型涉及一种新型LED倒装芯片。

背景技术

发光二极管(Light-Emitting Diode，简称LED)是一种将电能转化为光能的半导体电子器件。当电流流过时，电子与空穴在其内复合而发出单色光。LED作为一种高效、环保、绿色新型固态照明光源，具有低电压、低功耗、体积小、重量轻、寿命长、高可靠性等优点，正在被迅速广泛地得到应用。如交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源、户外全彩显示屏等。尤其是在照明领域，大功率芯片是未来LED发展的趋势。

目前大多数LED采用的结构从下至上依次为，蓝宝石衬底、n-GaN、量子阱发光区、p-GaN、透明导电层、P电极和N电极，其中P电极位于透明导电层上，N电极形成于通过反应耦合等离子体刻蚀露出的n-GaN上。此为正装芯片。

为避免正装芯片中因电极挤占发光面积从而影响发光效率，一种倒装芯片结构被广泛采用，如图1所示，即将正装芯片倒置，使发光层激发光直接从电极另一面发出，并将衬底剥去，从而组合为倒装芯片。但该倒装芯片的出光角度大，亮度仍不理想且成本高。

如何解决上述LED倒装芯片出光角度大，亮度低且成本高的问题，便成为亟待解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型涉及一种新型LED倒装芯片，以解决现有LED倒装芯片出光角度大，亮度低且成本高的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种新型LED倒装芯片，其特征在于，该新型LED倒装芯片从上至下顺序设置有：衬底、外延层、P型电极和N型电极，其中，

所述衬底，为蓝宝石衬底，设置在所述新型LED倒装芯片顶层，与所述外延层相连接；

所述外延层，其上表面与所述衬底底面相连接，下表面与所述P型电极相连接，该外延层内含有n-GaN，其从上至下顺序设置有：N型导电层、发光层和P型导电层；

所述N型导电层，其上表面与所述衬底底面相连接，其下表面的部分与所述发光层相连接，同时该N型导电层的下表面与所述发光层未连接的部分与所述N型电极相连接；

所述发光层，其上表面与所述N型导电层的下表面的部分相连接，该发光层的下表面与所述P型导电层的上表面相连接；

所述P型导电层，其上表面与所述发光层的下表面相连接，该P型导电层的中部以下设置有透明导电层，该透明导电层的下表面与所述P型电极相连接；

所述衬底与所述外延层相连接的左右边缘为倾斜角设计，该倾斜角的外表面镀有一层DBR。

进一步地，其中，所述DBR，进一步为11至29层的二氧化硅层、11至29层的二氧化钛层或11至29层的二氧化硅和二氧化钛混合层。

进一步地，其中，所述N型电极与所述N型导电层之间设置有至少2个贯穿孔。

进一步地，其中，所述透明导电层的下表面与所述P型电极之间设置有绝缘钝化层。

相对于现有技术中的LED倒装芯片，本实用新型的优势在于：

本实用新型在倒装芯片侧面做一个倾斜角，可将正常倒装芯片的出光角度由120度减少15度至30度；再在倾斜角上做一层分布式布拉格反射镜(Distributed Bragg Reflection，简称DBR)后，增加了反射面积，可比正常倒装芯片提高1％至2％亮度。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1为现有技术中LED倒装芯片的结构示意图；

图2为本实用新型所述的新型LED倒装芯片的结构示意图；

图3为本实用新型所述的新型LED倒装芯片的外延层结构示意图。

具体实施方式