[实用新型]一种单MOV芯片大通流浪涌保护器有效

专利信息
申请号: 201520439948.7 申请日: 2015-06-24
公开(公告)号: CN205140664U 公开(公告)日: 2016-04-06
发明(设计)人: 陈泽同;曾清隆 申请(专利权)人: 辰硕电子(九江)有限公司
主分类号: H01C13/00 分类号: H01C13/00;H01C1/084;H01C1/00;H01C1/02;H02H9/04
代理公司: 广州三环专利代理有限公司 44202 代理人: 章兰芳
地址: 332000 江西省九江市经济技术开发*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 一种 mov 芯片 通流 浪涌保护器
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种大通流浪涌吸收保护器,特别涉及一种单MOV芯片组装的模块式大通流浪涌吸收保护器件(SPD)。

背景技术

现有限压型浪涌保护器件具有特殊的非线性电压-电流特性,主要是由氧化锌(ZnO)MOV(MetalOxideVaristors)构成,一旦发生异常状况时,比如遭遇雷击、电磁场干扰,电源开关频繁动作、电源系统故障,使得线路上电压突增,超过MOV的导通电压,就会进入导通区,此时电流(I)和电压(V)呈非线性关系,一般称之为非线性系数(NonlinearityParameter),其值可达数十或上百,MOV阻抗会变低,仅有几个欧姆,让过电压形成突波电流流出,藉以保护所连接的电子产品或昂贵组件,

现有的大通流浪涌吸收保护器件采用经过挑选的2片以上,多至十几片较小面积的MOV芯片并联組成,瞬间保护动作电流虽可达几十千安至几百千安,但由于制造的差异性,电子陶瓷的分散性,导致多片并联的不均勻性始终存在,带来的结果是:瞬间动作不一致,并联片每片吸收能量不一致,长期运行后,老化程度不一致,多片并联结构中,一般釆用2个以上的相同的脱离装置,由于芯片差异,吸收能量差异,脱离装置脱离灵敏度也不一致,其中一只损坏,导致器件不可使用而报废,浪费资源。

实用新型内容

针对上述现有技术的不足,本实用新型提供一种由单MOV芯片组装的模块式大通流浪涌吸收保护器件。

为达到上述目的,本实用新型所采取的技术方案为:

本实用新型提供一种单MOV芯片大通流浪涌保护器,包括MOV芯片、引出电极、隔离板、两个半圆状绝缘环、圆型脱离板、导电垫片、上电极、下电极、圆形绝缘套、弹簧和指示灯,所述MOV芯片两面覆盖有卑金属第一电极和卑金属第二电极、所述引出电极上设置有引出端,所述隔离板平面上设置有矩形孔,所述圆型脱离板平面上设置有的舌形条状体和凹槽,所述舌形条状体前端设有孔位,所述上电极上设置有退刀槽、上电极外螺纹、上电极安装螺孔和指示灯孔,与所述指示灯孔相配置有指示灯盖罩,所述下电极设置有退刀槽、下电极外螺纹和下电极安装螺孔,所述圆形绝缘套内径二端设置有用于所述上、下电极旋压配合的内螺纹;

所述卑金属第一电极与所述引出电极焊接固定,所述隔离板通过矩形孔套置于所述引出电极的引出端上,所述两个半圆状绝缘环置于隔离板和圆型脱离板之间,所述舌形条状体的孔位与露出隔离板的引出电极引出端焊接在一起,所述弹簧一端固定于圆型脱离板的凹槽中,另一端固定于圆型脱离板的舌形条状体上,所述指示灯一极与所述圆型脱离板焊接,另一极穿过圆型脱离板和隔离板焊接于引出电极上,形成焊接组件;所述上电极通过上电极外螺纹旋压入圆形绝缘套内螺纹,拧紧并固定,所述焊接组件装置于圆形绝缘套内,所述指示灯位于上电极的指示灯孔中,所述焊接组件另一端面垫有导电垫片,所述下电极通过外螺纹旋入圆形绝缘套内螺纹,拧紧并固定,所述焊接组件和导电垫片通过所述上电极和所述下电极固定于圆形绝缘套内。

进一步地,组装后的单MOV芯片大通流浪涌保护器的整体呈扁平圆柱体,外径48~90mm,高度为35~100mm。

进一步地,圆形绝缘套内壁具有螺纹,便于和上下电极旋配,且材质为PC或PP或ABS或PTEE或玻纤环氧树脂。

进一步地,所述单MOV芯片直径为直径40mm~78mm。

进一步地,所述下电极安装螺孔表面为平面设置。

进一步地,所述上电极安装螺孔表面为凸突状设置。

进一步地,所述圆型脱离板平面上设置有的舌形条状体和凹槽,所述舌形条状体前端设有孔位,材质为磷铜或铍青铜等带弹性的薄铜片,厚度为0.3~0.8mm。

进一步地,所述弹簧为拉伸塔形弹簧。

进一步地,所述隔离板平面上设置有矩形孔,隔离板其大小与圆柱体绝缘套内径相匹配。

进一步地,所述两个半圆状绝缘环置于隔离板和圆型脱离板之间,材质为PC或PP或ABS或PTEE或玻纤环氧树脂。

进一步地,所述卑金属第一电极为双层设置。

本实用新型的有益效果在于:

1.单片大直径MOV应用提高了产品可靠性、安全性;

2.单片大直径MOV芯片在制造过程中残留应力小、均匀性好;

3.在MOV芯片二面增加金属结构件增加散热面积,提升芯片通流能力,提高使用寿命;

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