[实用新型]一种用于升压架构的基极电压控制电路有效

专利信息
申请号: 201520444778.1 申请日: 2015-06-25
公开(公告)号: CN204794658U 公开(公告)日: 2015-11-18
发明(设计)人: 罗立权;罗杰;薛经纬 申请(专利权)人: 灿瑞半导体(上海)有限公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 邓琪;杨希
地址: 200081 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 升压 架构 基极 电压 控制电路
【权利要求书】:

1.一种用于升压架构的基极电压控制电路,所述升压架构包括一功率PMOS管,其具有连接至电压输入端的第一极以及连接至电压输出端的第二极,其特征在于,所述电路包括:

电压比较器,其正输入端与所述功率PMOS管的第一极连接,其负输入端与所述功率PMOS管的第二极连接;

第一电平转换器,其输入端连接至所述电压比较器的输出端,其第一输出端的电平与其输入端的电平一致,其第二输出端的电平与其输入端的电平相反;

第二电平转换器,其输入端连接至所述电压比较器的输出端,其第一输出端的电平与其输入端的电平一致,其第二输出端的电平与其输入端的电平相反;

第一PMOS管,其栅极与所述第一电平转换器的第一输出端连接,其源极连接至所述电压输出端;

第二PMOS管,其栅极和漏极分别与所述第一PMOS管的栅极和漏极连接,其源极接地;

第三PMOS管,其栅极与所述第一电平转换器的第二输出端连接,其漏极连接至所述电压输入端,其源极与所述第二PMOS管的源极相连至所述功率PMOS管的基极;

第四PMOS管,其栅极与所述第二电平转换器的第二输出端连接,其源极与所述第一PMOS管的源极连接;

第五PMOS管,其栅极和漏极分别与所述第四PMOS管的栅极和漏极连接,其源极接地;以及

第六PMOS管,其栅极与所述第二电平转换器的第一输出端连接,其漏极与所述第三PMOS管的漏极连接,其源极与所述第五PMOS管的源极连接。

2.根据权利要求1所述的用于升压架构的基极电压控制电路,其特征在于,所述电路还包括串联连接在所述功率PMOS管的第一极与地之间的第一电阻和第二电阻以及串联连接在所述功率PMOS管的第二极与地之间的第三电阻和第四电阻,所述电压比较器的正输入端连接至所述第一电阻和第二电阻之间,其负输入端连接至所述第三电阻和第四电阻之间。

3.根据权利要求1或2所述的用于升压架构的基极电压控制电路,其特征在于,所述电路还包括连接在所述第二PMOS管与地之间的第一电容,以及连接在所述第五PMOS管与地之间的第二电容。

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