[实用新型]双面发光LED芯片有效
| 申请号： | 201520460556.9 | 申请日： | 2015-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN204696145U | 公开（公告）日： | 2015-10-07 |
| 发明（设计）人： | 徐之际 | 申请（专利权）人： | 苏州东山精密制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/36 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 刘宪池 |
| 地址： | 215000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双面 发光 led 芯片 | ||
1.一种双面发光LED芯片，所述LED芯片包括衬底以及位于衬底上的外延结构，其特征在于，所述外延结构包括位于衬底上的N型半导体层、位于N型半导体层上且相互分离设置的第一多量子阱发光层和第二多量子阱发光层、以及分别位于第一多量子阱发光层和第二多量子阱发光层上的第一P型半导体层和第二P型半导体层，所述N型半导体层上设置有N电极，所述第一P型半导体层和第二P型半导体层上分别设置有第一P电极和第二P电极。
2.根据权利要求1所述的双面发光LED芯片，其特征在于，所述N电极位于第一多量子阱发光层或第二多量子阱发光层旁侧。
3.根据权利要求1所述的双面发光LED芯片，其特征在于，N型半导体层下方设置有缓冲层。
4.根据权利要求1所述的双面发光LED芯片，其特征在于，所述第一多量子阱发光层和第二多量子阱发光层下方分别设有第一N型掺杂层和第二N型掺杂层，所述第一多量子阱发光层和第二多量子阱发光层上方分别设有第一P型掺杂层和第二P型掺杂层。
5.根据权利要求1所述的双面发光LED芯片，其特征在于，所述第一多量子阱发光层和第二多量子阱发光层材料为In0.06Ga0.94N。
6.根据权利要求4所述的双面发光LED芯片，其特征在于，所述第一N型掺杂层和第二N型掺杂层的材料为n-Al0.15Ga0.85N，第一P型掺杂层和第二P型掺杂层的材料为p-Al0.15Ga0.85N。
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