[实用新型]发光器件及照明装置

权利要求书

1.一种发光器件，其特征在于，包括：

衬底；

发光结构，包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层，所述发光结构布置在所述衬底上；

第一电极，布置在所述第一导电型半导体层上；以及

第二电极，布置在所述第二导电型半导体层上，

其中所述第一电极包括：

欧姆接触层，布置在所述第一导电型半导体层上且由透明导电氧化物形成；以及

反射层，布置在所述欧姆接触层上，

其中所述欧姆接触层的厚度为1nm或更大且小于60nm。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述欧姆接触层包括铟锡氧化物ITO、氧化锡TO、铟锌氧化物IZO、铟锌锡氧化物ITZO、铟铝锌氧化物IAZO、铟镓锌氧化物IGZO、铟镓锡氧化物IGTO、铝锌氧化物AZO、锑锡氧化物ATO和镓锌氧化物GZO中的一种。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于：

所述第一导电型半导体层为n型半导体层。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述欧姆接触层的厚度为1nm至10nm。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一电极还包括布置在所述反射层上的扩散势垒层。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述欧姆接触层通过隧穿效应传递电子。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，还包括布置在所述第二导电型半导体层上的导电层，其中：

所述第二电极布置在所述导电层上；以及

所述导电层由透明导电氧化物形成。

8.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述第一电极还包括布置在所述扩散势垒层上的结合层。

9.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述反射层包括Ag、Al或Rh。

10.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述扩散势垒层包括Ni、Cr、Ti、Pd、Pt、W、Co和Cu中的一种。

11.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第二电极具有与所述第一电极相同的配置。

12.根据权利要求8所述的发光器件，其特征在于，所述结合层由金Au、银Ag和金Au合金中的任何一种形成。

13.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，：

所述发光结构具有其中所述第一导电型半导体层被暴露的区域，且所述第一电极被布置在其中所述第一导电型半导体层被暴露的所述区域上；以及

所述欧姆接触层直接接触被暴露的第一导电型半导体层。

14.根据权利要求13所述的发光器件，其特征在于，所述欧姆接触层仅位于所述反射层与其中所述第一导电型半导体层被暴露的所述区域之间。

15.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第二导电型半导体层为包括p型掺杂剂的p型半导体层。

16.根据权利要求7所述的发光器件，其特征在于，所述导电层由铟锡氧化物ITO、氧化锡TO、铟锌氧化物IZO、铟锌锡氧化物ITZO、铟铝锌氧化物IAZO、铟镓锌氧化物IGZO、铟镓锡氧化物IGTO、铝锌氧化物AZO、锑锡氧化物ATO、镓锌氧化物GZO、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni、Ag、Ni/IrOx/Au和Ni/IrOx/Au/ITO中的一种被形成为单层结构。

17.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一电极包括第一衬垫部以及从所述第一衬垫部延伸的至少一个分支电极。

18.根据权利要求13所述的发光器件，其特征在于，在所述欧姆接触层与所述第一导电型半导体层之间的接触界面是平坦的。

19.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述扩散势垒层的厚度为100nm。

20.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述反射层的厚度为200nm。