[实用新型]发光器件及照明装置

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2014年7月1日在韩国提交的第10-2014-0081739号韩国专利申请的优先权，其通过引用整体并入本文，视同将其全文描述于此。

技术领域

实施例涉及一种发光器件。

背景技术

诸如GaN的III-V族氮化物半导体具有优异的物理特性和化学特性，并因此被广泛地用作诸如发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和太阳能电池之类的半导体光学器件的重要材料。

III-V族氮化物半导体光学器件发出蓝光和绿光，且具有高亮度和高可靠性，因此被用作发光器件的元件。

通常，发光器件可以包括发光结构以及将电力供应至发光结构的p型电极和n型电极。

发光结构可以包括n型氮化物半导体层、有源层和p型氮化物半导体层，p型电极可以被可传导地连接至p型氮化物半导体层，而n型电极可以被可传导地连接至n型氮化物半导体层。

实用新型内容

针对现有技术中存在的问题，实施例提供一种欧姆特性得以增强并且光量增加的发光器件。

在一个实施例中，一种发光器件包括：衬底；发光结构，包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层，所述发光结构布置在所述衬底上；第一电极，布置在所述第一导电型半导体层上；以及第二电极，布置在所述第二导电型半导体层上，其中所述第一电极包括：欧姆接触层，布置在所述第一导电型半导体层上且由透明导电氧化物形成；以及反射层，布置在所述欧姆接触层上，其中所述欧姆接触层的厚度为1nm或更大且小于60nm。

所述欧姆接触层可以包括铟锡氧化物(ITO)、氧化锡(TO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(ITZO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)和镓锌氧化物(GZO)中的一种。

所述第一导电型半导体层可以是n型半导体层。

所述欧姆接触层的厚度可以是1nm至10nm。

所述第一电极还可以包括布置在所述反射层上的扩散势垒层。

所述欧姆接触层可以通过隧穿效应传递电子。

所述发光器件还可以包括布置在所述第二导电型半导体层上的导电层，所述第二电极可以布置在所述导电层上；以及所述导电层由透明导电氧化物形成。

所述第一电极还可以包括布置在所述扩散势垒层上的结合层。

所述反射层可以包括Ag、Al或Rh。

所述扩散势垒层可以包括Ni、Cr、Ti、Pd、Pt、W、Co和Cu中的一种。

所述第二电极可以具有与所述第一电极相同的配置。

所述结合层可以由金(Au)、银(Ag)和金(Au)合金中的任何一种形成。

所述发光结构可以具有其中所述第一导电型半导体层被暴露的区域，并且所述第一电极可以被布置在其中所述第一导电型半导体层被暴露的所述区域上；以及所述欧姆接触层可以直接接触被暴露的第一导电型半导体层。

所述欧姆接触层可以仅位于所述反射层与其中所述第一导电型半导体层被暴露的所述区域之间。

所述第二导电型半导体层为包括p型掺杂剂的p型半导体层。

所述导电层由铟锡氧化物(ITO)、氧化锡(TO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(ITZO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni、Ag、Ni/IrOx/Au和Ni/IrOx/Au/ITO中的一种被形成为单层结构。

所述第一电极包括第一衬垫部以及从所述第一衬垫部延伸的至少一个分支电极。

在所述欧姆接触层与所述第一导电型半导体层之间的接触界面是平坦的。

所述扩散势垒层的厚度为100nm。

所述反射层的厚度为200nm。

在另一个实施例中，一种发光器件包括：衬底；第一半导体层，布置在所述衬底上；有源层，布置在所述第一半导体层上；第二半导体层，布置在所述有源层上；第一电极，布置在所述第一半导体层上；以及第二电极，布置在所述第二半导体层上，其中所述第一电极包括：第一欧姆接触层，接触所述第一半导体层且由透明导电氧化物形成；以及第一反射层，布置在所述第一欧姆接触层上；以及所述第一欧姆接触层的厚度为1nm或更大且小于60nm。

所述第一电极还可以包括布置在所述第一反射层上的第一扩散势垒层。