[实用新型]电子元件承载件有效
申请号: | 201520467764.1 | 申请日: | 2015-07-02 |
公开(公告)号: | CN204885121U | 公开(公告)日: | 2015-12-16 |
发明(设计)人: | 黄琮琳 | 申请(专利权)人: | 桦塑企业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京汇智英财专利代理事务所(普通合伙) 11301 | 代理人: | 牟长林 |
地址: | 中国台湾高*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子元件 承载 | ||
技术领域
本实用新型是关于一种承载件,特别关于一种电子元件承载件。
背景技术
请参照图1、2所示,现有电子元件承载件9包含数个容槽91,各容槽91分别包含一底面911及一环墙912,该环墙912环绕形成一开口913,且该底面911及该环墙912共同形成连通该开口913的一容置空间914,该容置空间914可以供容置一电子元件C。是以,使用者可以借助一封闭件8,封闭该开口912,以利于以该现有电子元件承载件9运送该电子元件C。
为便于将该电子元件C于置入该容置空间914,该容置空间914大于该电子元件C,只是,该电子元件C置入该容置空间914时却容易因此而发生旋转或偏移,而影响后续工艺。
据此,该现有电子元件承载件9确实仍有待改善的必要。
实用新型内容
本实用新型目的是提供一种电子元件承载件,可以防止于将电子元件放置其中时发生旋转或偏移。
本实用新型的电子元件承载件,包含数个容槽,该数个容槽分别包含一底面及一环墙,该环墙环绕形成一开口,且该底面朝向该开口,该环墙上设有一承载部,该承载部位于该底面及该开口之间,该承载部具有相对的一第一侧缘及一第二侧缘,该第一侧缘邻近该底面,该第二侧缘邻近该开口且与该开口之间具有一段差,该第一侧缘的相对二点经该容槽的中心的最短距离小于该第二侧缘的相对二点经该容槽的中心的最短距离。
其中,该承载部为环设于该环墙的一承载面。
其中,该承载部为相对的二承载面。
其中,该承载部为相连的四承载面。
其中,该承载面为一平面。
其中,该承载面与该底面相交形成一夹角,且该夹角的角度为130~140°。
其中,该承载面为一弧面。
其中,该电子元件承载件具有相对的一第一表面及一第二表面,该容槽是自该第一表面朝该第二表面所形成的凹槽。
其中,该电子元件承载件具有数个传输孔,该数个传输孔贯穿该第一表面及该第二表面。
其中,该数个容槽分别设有一座穴中心孔,该座穴中心孔贯穿该容槽的底面及相对该底面的第二表面。
其中,该环墙具有一压模离形角,该压模离形角的角度小于5°。
本实用新型的电子元件承载件具有设于该容槽的承载部,借助该第一侧缘的相对二点经该容槽的中心的最短距离小于该第二侧缘的相对二点经该容槽的中心的最短距离,使置于该容槽的电子元件得以抵顶于该承载部,因而可以达成防止该电子元件于该容置空间中发生位移或旋转的功效。
本实用新型的电子元件承载件亦可以防止设于该电子元件的锡球与该容槽发生碰撞,而达到降低该电子元件的损坏机率的功效。
由于该第一侧缘的相对二点经该容槽的中心的最短距离D1小于该第二侧缘的相对二点经该容槽的中心的最短距离,使本实用新型具有该承载部的电子元件承载件对于该电子元件具有较大公差容忍度,为本实用新型的功效。
附图说明
图1:是现有电子元件承载件的立体图。
图2:是现有电子元件承载件的侧视剖面图。
图3:是本实用新型电子元件承载件的一实施态样的立体图。
图4:是本实用新型电子元件承载件的一实施态样的侧视剖面图。
图5:是本实用新型电子元件承载件的另一实施态样的立体图。
图6:是本实用新型电子元件承载件的另一实施态样的侧视剖面图。
图7:是本实用新型电子元件承载件的又一实施态样的立体图。
图8:是本实用新型电子元件承载件的又一实施态样的侧视剖面图。
【主要元件符号说明】
〔本实用新型〕
1电子元件承载件
1a第一表面1b第二表面
11容槽111底面
112环墙113开口
114承载部114a第一侧缘
114b第二侧缘115座穴中心孔
12传输孔
C电子元件D1最短距离
D2最短距离H段差
S容置空间W锡球
θ1压模离形角θ2夹角
〔现有技术〕
9现有电子元件承载件
91容槽911底面
912侧墙913容置空间
8封闭件
C电子元件W锡球。
具体实施方式
为让本实用新型的上述及其他目的、特征及优点能更明显易懂,下文特举本实用新型的较佳实施例,并配合所附图式,作详细说明如下:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造