[实用新型]一种基于多MEMS传感器的三相驱动电路结构有效

专利信息
申请号: 201520478395.6 申请日: 2015-07-06
公开(公告)号: CN204928637U 公开(公告)日: 2015-12-30
发明(设计)人: 周伦 申请(专利权)人: 成都弘毅天承科技有限公司
主分类号: H02P6/08 分类号: H02P6/08;H02P6/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610000 四川省成都市*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 mems 传感器 三相 驱动 电路 结构
【说明书】:

技术领域

发明涉及直流无刷电机领域,具体涉及一种基于多MEMS传感器的三相驱动电路结构。

背景技术

现有电机,缺乏集成的中控设备或者中控设备智能度不高,需要大量人工操作,无法自动完成各类操作;脉冲的调制、延时调节电路结构不合理,导致双场效应管电压调节电路存在重叠的导通电压范围,进一步影响驱动电路;电机集成有位置传感器,位置传感器的可靠性低,易受到环境温度,压力等外界因素影响,进一步降低了电机的可靠性。

发明内容

针对上述现有技术,本发明目的在于提供一种基于多MEMS传感器的三相驱动电路结构,其旨在解决现有电机存在低智能度,不合理的驱动电路结构,低可靠性且不具备极端环境耐受能力等技术问题。

为达到上述目的,本发明采用的技术方案如下:

一种基于多MEMS传感器的三相驱动电路结构,包括依次连接的MEMS传感单元:获取目标传感数据,转换传感数据为时钟信号和发送控制时钟;3个脉冲定时调制单元:根据MEMS传感单元发出的控制时钟,进行脉宽调制,并进行脉冲延时反馈调节和电平调制信号发送;三相电机单元:根据脉冲定时调制单元电平调制信号,获得有序的驱动模式并实现有序转动;脉冲定时调制单元向MEMS传感单元反馈数据;三相电机单元向脉冲定时调制单元反馈反电动势。

上述方案中,所述的MEMS传感单元,包括用于时钟输出、数据处理和信号控制的FPGA:设置有MEMS传感器接口;第一模数转换器:输出端口连接FPGA,接收FPGA控制命令,向FPGA输出数字信号;多MEMS传感器:时钟输入接口连接FPGA的MEMS传感器接口,输出端连接第一模数转换器的输入端,接收FPGA的时钟序列,向第一模数转换器发送传感数据。MEMS传感器具有体积小、重量轻、功耗低、可靠性高、灵敏度高、易于集成以及耐恶劣工作环境等优势。提取外界目标信号,与FPGA预设基准匹配,可完成识别功能;多个MEMS传感器组合,可使得同一目标的不同特征得到充分识别验证,提升精确度;处理数据后,给下位电路发出中控命令;需要提出地是,FPGA完成编程后,系列操作均可自助完成,外界可通过上位机读取相关数据,体现电机智能化。

上述方案中,所述的脉冲定时调制单元,包括调制脉冲发生器:输入端连接FPGA的时钟输出端,接收FPGA控制时钟;第一反相器:输入端连接调制脉冲发生器的输出端;第一可编程延时器:输入端连接第一反相器的输出端;第二反相器:输入端连接第一可编程延时器的输出端;第一场效应管:栅极连接第二反相器的输出端,源极接有电感;电感一端为1_High;用于消除判决延时的开关电路:与调制脉冲发生器的输出端连接,与第一可编程延时器的输出端连接;第二场效应管:栅极连接开关电路,漏极连接第一场效应管的源极;肖特基同步整流二极管:正极、负极分别连接第二场效应二极管的源极、漏极;肖特基同步整流二极管正极为1_Low。根据MEMS传感单元发出的控制时钟,实现脉宽调制,脉冲延时反馈调节和电平调制信号发送的功能。显著增加整个电路的反应速度。

上述方案中,所述的开关电路,包括截止电路,导通电路,还包括RS触发器:Q端连接第二场效应管Q2的栅极。

上述方案中,所述的截止电路,包括缓冲寄存器:输入端连接第一可编程延时器的输出端;第一升值计数器;时钟端连接缓冲寄存器的输出端;第一与门:输入端口连接1_High和编程序列;第一或非门:输入端口连接有第一与门的输出端,输出端连接第一升值计数器的计数端;第三反相器:输入端为预设端;第一或门:输入端口连接第三反相器的输出端和缓冲寄存器的输出端;第二或非门:输入端口连接有第一或门的输出端和第一或非门的输出端,输出端连接到第一或非门的输入端口;第二可编程延时器:激活计数端A连接第一升值计数器的计数端-Q,延时端D连接第一可编程延时器的输出端ID;第四反相器:输入端连接第二可编程延时器的输出端Y;第三或非门:输入端口分别连接第四反相器的输入端和输出端;第二与门;第二或门:输入端口连接有第三或非门的输出端和第二与门的输出端;第五反相器:输入端和输出端连接第二与门的输入端口;第二或门的输出端连接RS触发器的R端。截止电路激活后,肖特基同步整流二极管D1将截止,彻底消除双场效应管重叠导通的电压区间和波形漂移,即此时只有场效应管Q2导通。显著增加整个电路的反应速度。

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