[实用新型]一种新型扩散用石英舟有效
申请号: | 201520480368.2 | 申请日: | 2015-07-06 |
公开(公告)号: | CN204792728U | 公开(公告)日: | 2015-11-18 |
发明(设计)人: | 王道强;陈宏胤 | 申请(专利权)人: | 扬州虹扬科技发展有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 北京酷爱智慧知识产权代理有限公司 11514 | 代理人: | 马丽娜 |
地址: | 225116 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 扩散 石英 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体制造装置技术领域,尤其涉及一种新型扩散用石英舟。
背景技术
扩散工艺是半导体生产过程中的一道关键工序,其需要使用一种硅片承载装置用于装载硅片,然后再将装有硅片的承载装置送入扩散炉内进行集中扩散,石英因其材料纯度高、耐高温、耐热震、耐酸、耐碱而成为制作这种承载装置材料的首选,用石英材料制成的硅片承载装置,并且形状类似于舟,故称为石英舟;
在现有已知的石英舟中,常用的石英棒舟底部由两根平行的石英棒构成,没有底板,气体流通性好,扩散均匀,但其底部石英棒承受的压强过大,很容易断裂损坏,导致整个石英舟使用寿命短,而石英舟的造价又较高,损失较大,也有选择使用石英板舟的,其底部有支撑板,但传统的石英板舟(结构不合理,支撑板与石英棒构成的空间相对封闭,尤其是在装载硅片以后,舟底的气体无法很好流通,会导致扩散不均匀,影响产品的电性良率,增加产品的反型层,后道为有效的去除反型层,会导致硅片的机械良率降低;
专利号为CN203085500U的专利:扩散石英舟,采用的技术方案为一种扩散石英舟,包括一个支撑杆和位于支撑杆两端的两块面板,所述的两块面板上均开有用于气流通过的通孔,所述的支撑杆包括位于底部的底固定条、设置在底固定条上的支撑条和用于围护硅片的两条侧面横杆,所述的两条侧面横杆之间设置有至少两根龙骨,为了放置的硅片稳固,所述支撑条上具有多个第一插槽,为了放置的硅片稳固,所述龙骨正对硅片的方向设置有多个第二插槽,第一插槽和第二插槽的个数均为20-200,所述第一插槽和第二插槽的宽度均为0.1mm-3mm;
上述专利的有益效果是可以使得石英舟上硅片和气流平行,这样气流能均匀的在硅片之间流动,对扩散方阻的均匀性有很大的改善,同时提高了电池片的转换效率,但是该专利的空间还是相对封闭,气体无法很好的流通,而且结构比较复杂。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种新型扩散用石英舟,解决现有技术中气体无法流通和扩散不均匀的技术问题;
本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下:
一种新型扩散用石英舟,包括支撑杆和底板,所述底板中部开设有凹槽,且底板两端开设有通孔一,所述凹槽两侧设置有支撑杆,所述支撑杆两侧设置有挡板,所述挡板两侧设置有固定板,所述挡板底部设置有通孔二;
在上述技术方案的基础上,本实用新型还可以做如下改进:
进一步,所述通孔二为半圆形,采用本步的有益效果是气体可以通过此通孔二自由的在石英舟的外部和内部流通,扩散均匀,减少反型,以此配合扩散时间、温度和气流量;
进一步,所述通孔二的半径为7-9mm;
进一步,所述支撑杆的材料为石英;
进一步,所述支撑杆的直径为14-18mm。
本实用新型提供一种新型扩散用石英舟,其包括底板、支撑杆和挡板,其中底板中心挖空形成凹槽,将支撑杆分别设置在凹槽两侧;
在使用时,为了使得气体可以自由的在石英舟的外部和内部流通,将底板中心挖空,形成凹槽,这样,当扩散工艺进行时,气体可以通过底板被挖空区域,自由的在石英舟的外部和内部流通,扩散均匀,减少反型,配合扩散时间、温度和气流量;
在使用时,在挖空的凹槽两侧设置支撑杆,支撑杆的高度可以用来确定硅片的高度,因为硅片是放置在支撑杆上的;
本实用新型在底板的两端开设有通孔一;
在使用时,也是为了方便气体能够自由的石英舟的外部和内部流通,这样可以保证扩散均匀;
本实用新型在所述支撑杆两侧设置有挡板,所述挡板两侧设置有固定板,所述挡板底部设置有通孔二;
在使用时,通过挡板来固定装载硅片,为了使得挡板更加稳定,在挡板两侧设置固定板;
为了能够保证气体能够外部和内部流通,扩散均匀,在挡板底部开设有通孔二;
本实用新型将通孔二设计成半圆形,这样也是为了气体流通顺,减少反型,保证流通;
本实用新型的有益效果:
1.本实用新型是将底板与支撑杆相接触,相对于石英棒舟,底部所承受的压强小,这样可以使得本实用新型坚固耐用;
2.本实用新型将底板中心挖空,当扩散工艺进行时,气体可以通过底部底板中的被挖空区域,即凹槽,自由的在石英舟的外部和内部流通,扩散均匀,减少反型,配合扩散时间、温度和气流量,可提升产品的电性良率和后道对硅片反型层去除量的减少来提升硅片的机械良率;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造