[实用新型]一种无运放低功耗高电源抑制比的带隙基准电路

权利要求书

1.一种无运放低功耗高电源抑制比的带隙基准电路，包括正温度系数电路、负温度系数电路和输出电路，其特征在于：

所述输出电路的三个输出分支分别包括串联的两个PMOS管；

所述基准电路还包括偏置电路，所述偏置电路包括串联的第一偏置PMOS管、第二偏置PMOS管和偏置NMOS管，两个偏置PMOS管与输出电路中的PMOS管并联；第二偏置PMOS管的漏极与所述偏置NMOS管漏极相连；所述偏置NMOS管的栅极与正温度系数电路中第零三极管的集电极连接，所述偏置NMOS管的源极与正温度系数电路中第一三极管的发射极连接；所述第一三极管的集电极和基极相连。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于：

第二偏置PMOS管的漏极与偏置NMOS管的漏极之间连接有分压电阻；

偏置电路与三个输出分支中，各自的第一个PMOS管的栅极相连，且连接至第二偏置PMOS管的漏极；

偏置电路与三个输出分支中，各自的第二个PMOS管的栅极相连，且连接至偏置NMOS管的漏极。

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括：

串联的第一输出电阻和第二输出电阻，并联在所述负温度系数电路的两端，所述第一输出电阻和第二输出电阻的连接点作为电压输出端。

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于：

第一输出电阻和/或第二输出电阻，其阻值可调。

5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于：

所述负温度系数电路包括第二三极管和负温度电阻。