[实用新型]一种制作太阳能电池片时用于硅片沉积的载板及加热装置有效
申请号: | 201520491021.8 | 申请日: | 2015-07-09 |
公开(公告)号: | CN204857760U | 公开(公告)日: | 2015-12-09 |
发明(设计)人: | 杨与胜;王树林;倪鹏玉;庄辉虎 | 申请(专利权)人: | 钧石(中国)能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0747 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制作 太阳能电池 片时 用于 硅片 沉积 加热 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及到半导体制造的技术领域,特别涉及一种制作太阳能电池片时用于硅片沉积的载板及加热装置。
背景技术
HIT太阳能电池是一种利用晶体硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池,相对传统单/多晶硅电池,有更高的发电效率,更好的稳定性和更低的成本。其PN结制备工序是采用板式PECVD制成,在PECVD制程中用到一种工装夹具载板。如图1A所示,常规载板是在一整块金属板或非金属板(如:CFC)200上开槽和或孔201,制成大载板200A,在槽和或孔201中放置硅片。如图1B所示,在PECVD中大载板200A放置在加热板300上工作,由于载板200A较大,容易变形,使得载板200A和加热板300之间产生间隙,导致放置载板200A上的硅片温差较大,且使得等离子体变得不均匀,容易产生辉光放电,严重影响PN结的制备质量。
因此,设计一种结构稳定的载板,对于提高HIT太阳能电池PN结的制备质量,提高光电转换效率及生产良率,降低生产成本有着重大意义和应用前景。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种制作太阳能电池片时用于硅片沉积的载板及加热装置,其能够提高HIT太阳能电池PN结的制备质量,提高光电转换效率及生产良率。
为实现上述目的,本实用新型采用以下设计方案:
一种制作太阳能电池片时用于硅片沉积的载板,其包括底板,所述底板包括框架及框架内形成的开孔,在开孔中固定在框架上设有多条用于承载硅片的金属丝。
优选的,所述金属丝设在开孔中并固定在框架上,金属丝上设有固定硅片的定位块。
优选的,所述多条金属丝沿所述框架的第一方向和/或第二方向交叉设置,形成多个承载区域,可同时承载多个硅片。
优选的,所述框架上设有张紧机构,所述金属丝通过设在框架边缘的张紧机构拉紧。
优选的,所述载板可由A×B的多个载板拼接而成,其中A≥1,B≥1。
一种制作太阳能电池片时用于硅片沉积的加热装置,其包括载板和加热板,所述载板放置在加热板之上,所述载板包括底板,所述底板包括框架及框架内形成的开孔,在开孔中固定在框架上设有多条用于承载硅片的金属丝,所述加热板上设有与金属丝对应的凹槽,硅片加热时,金属丝沉入对应凹槽内。
优选的,所述金属丝设在开孔中并固定在框架上,金属丝上设有固定硅片的定位块。
优选的,所述多条金属丝沿所述框架的第一方向和/或第二方向交叉设置,形成多个承载区域,可同时承载多个硅片。
优选的,所述框架上设有张紧机构,所述金属丝通过设在框架边缘的张紧机构拉紧。
优选的,所述载板可由A×B的多个载板拼接而成,其中A≥1,B≥1。
本实用新型采用以上设计方案,在载板上通过设置多条金属丝,硅片由载板托起,并被放置到加热板上,由于加热板上开有与载板上的金属丝对应的凹槽,金属丝沉入到加热板的凹槽中,而硅片被放置到加热板表面;所以放置到加热板表面的硅片就不会因载板的变形而受到影响,其更好的稳定等离子体,提高了HIT太阳能电池PN结的制备质量,提高光电转换效率及生产良率。
附图说明
图1A为传统载板示意图;
图1B为传统载板放置到PECVD加热板上的示意图;
图2A为本实用新型底板示意图;
图2B为本实用新型载板示意图;
图2C为本实用新型载板上放置硅片的示意图;
图2D为本实用新型加热装置的示意图;
图2E为本实用新型加热装置的剖视图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
如图2A、2B所示,本实用新型公开了一种制作太阳能电池片时用于硅片沉积的载板600A,其包括框架500A及在框架500A上设置的金属丝601、611;所述框架500A包括底板500及底板500内的开孔501;实施例中所述金属丝601、611沿所述框架500A的第一方向及第二方向交叉设置,当然也可以只设置一个方向的金属丝601或611,形成多个承载区域,可同时承载多个硅片,所述金属丝601、611上分别设有固定硅片的定位块603、613,所述框架500A上设有张紧机构,所述601、611上分别通过设在框架500A边缘的张紧机构602、612拉紧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的