[实用新型]湿式蚀刻机机台用浸泡槽结构有效
| 申请号： | 201520515914.1 | 申请日： | 2015-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN204792722U | 公开（公告）日： | 2015-11-18 |
| 发明（设计）人： | 黄于维 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人： | 乐卫国 |
| 地址： | 201506 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 机台 浸泡 结构 | ||
1.湿式蚀刻机机台用浸泡槽结构，包括槽底和侧边，所述槽底位于基板传送轴的下方，侧边的上端面高度高于基板传送轴，其特征在于，所述槽底设置有用以减少浸泡槽内部空余体积来减少覆盖基板所需药液量的填充件，所述填充件位于基板传送轴下方。
2.根据权利要求1所述的湿式蚀刻机机台用浸泡槽结构，其特征在于，所述槽底为平底结构。
3.根据权利要求2所述的湿式蚀刻机机台用浸泡槽结构，其特征在于，所述填充件为长方体式结构。
4.根据权利要求1所述的湿式蚀刻机机台用浸泡槽结构，其特征在于，所述槽底为“V”字型结构。
5.根据权利要求4所述的湿式蚀刻机机台用浸泡槽结构，其特征在于，所述填充件为截面是三角形的立体结构。
6.根据权利要求4所述的湿式蚀刻机机台用浸泡槽结构，其特征在于，所述填充件共有两个，均为截面是直角梯形的立体结构，两个填充件分别设置在槽底的两边。
7.根据权利要求1所述的湿式蚀刻机机台用浸泡槽结构，其特征在于，所述填充件为空心结构。
8.根据权利要求1所述的湿式蚀刻机机台用浸泡槽结构，其特征在于，所述填充件为实心结构。
9.根据权利要求1所述的湿式蚀刻机机台用浸泡槽结构，其特征在于，所述填充件为高度可调节的伸缩结构。
10.根据权利要求9所述的湿式蚀刻机机台用浸泡槽结构，其特征在于，所述填充件由若干层堆迭的盒子组成，若干层堆迭的盒子通过连接件连接，所述若干层堆迭的盒子的尺寸依次变大/小。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
