[实用新型]一种制绒清洗机有效
申请号: | 201520522568.X | 申请日: | 2015-07-18 |
公开(公告)号: | CN204792877U | 公开(公告)日: | 2015-11-18 |
发明(设计)人: | 方结彬;秦崇德;石强;黄玉平;何达能;陈刚 | 申请(专利权)人: | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/67 |
代理公司: | 佛山市中迪知识产权代理事务所(普通合伙) 44283 | 代理人: | 张伶俐 |
地址: | 528100 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 清洗 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种清洗机,特别涉及一种制绒清洗机,属于光伏太阳能电池技术领域领域。
背景技术
太阳能电池是一种可有效地吸收太阳辐射能,利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件,当太阳光照在半导体P-N结(P-NJunction)上,形成新的空穴-电子对(V-Epair),在P-N结电场的作用下,空穴由N区流向P区,电子由P区流向N区,接通电路后就形成电流。由于是利用各种势垒的光生伏特效应将太阳光能转换成电能的固体半导体器件,故又称太阳能电池或光伏电池,是太阳能电池阵电源系统的重要组件。
太阳能电池主要有晶硅(Si)电池、三五族半导体电池(GaAs,Cds/Cu2S,Cds/CdTe,Cds/InP,CdTe/Cu2Te)、无机电池、有机电池等,其中晶硅太阳能电池居市场主流主导地位。晶硅太阳能电池的基本材料为纯度达0.999999、电阻率在10欧·厘米以上的P型单晶硅,包括正面绒面、正面p-n结、正面减反射膜、正背面电极等部分。
晶硅太阳能电池的制造工艺包括六个主要步骤,分别为制绒,扩散,去磷硅玻璃和背结,正面镀膜,丝网印刷,烧结。其中制绒采用化学刻蚀的原理,业界使用的是去磷硅玻璃链式清洗机,其结构如图1所示,该清洗机由多个槽构成,有制绒槽2、第一水槽3、碱槽4、第二水槽5、HF/HCL酸槽6、第三水槽7和风干槽8,以及与制绒槽2循环相连的储备槽10,其中制绒槽2的作用是对晶硅的表面形成织构化的绒面,增加太阳光的吸收;HF/HCL酸槽6的作用是去除硅片表面的重金属离子和其他杂质。
硅片的制绒减薄量是影响电池表面反射率的主要因素,减薄量的均匀性是影响后续正面镀膜工艺均匀性的重要因素,从而影响电池的膜色分布。目前制绒减薄量的操作中,生产车间都是采用人工抽测减薄量的方式,只能获取某一时刻少量硅片的减薄量,数据量太小,而且硅片的减薄量也与硅片本身的表面形貌有关,因此无法对制绒段工艺参数设定的合理性做准确的判断;另外,不同制绒轨道出来的硅片的减薄量不相同,不同时刻相同制绒轨道出来的硅片的减薄量也不相同,导致硅片制绒后的减薄量分布很宽,从而在后续的正面镀膜工序中,电池的膜色分布太宽,不符合客户对电池膜色的要求。因此,目前仅靠人工抽测少量硅片的减薄量不能把握制绒工艺的整体规律,无法对工艺参数的调节形成有价值的指导作用。
发明内容
针对上述现有技术存在的问题,本实用新型提供一种制绒清洗机,可实现自动统计减薄量的功能,节省人工,降低人力成本。
为了实现上述目的,本实用新型采用的一种制绒清洗机,包括位于清洗机内部的制绒槽、碱槽、HF/HCL酸槽及风干槽,清洗机的两端分别设有若干制绒轨道入口和与制绒轨道入口一一对应的制绒轨道出口,还包括称重装置及与称重装置连接的计算机;
所述称重装置包括安装在制绒轨道入口处的入口称重装置和安装在制绒轨道出口处的出口称重装置,所述入口称重装置和出口称重装置分别将测量数据传递给计算机,由计算机依照逻辑编码自动计算每片硅片的制绒减薄量。
作为本实用新型的改进,所述制绒槽与碱槽间设有第一水槽。
作为本实用新型的改进,所述碱槽与HF/HCL酸槽间设有第二水槽。
作为本实用新型的改进,所述HF/HCL酸槽与风干槽间设有第三水槽。
作为本实用新型的改进,该清洗机包括若干条制绒轨道,每条制绒轨道包括一个制绒轨道入口和一个与该制绒轨道入口对应的制绒轨道出口,硅片从制绒轨道入口进入,经入口称重装置后,依次经过制绒槽、第一水槽、碱槽、第二水槽、HF/HCL酸槽、第三水槽及风干槽后,再经出口称重装置,最终经制绒轨道出口排出;
所述计算机分别计算入口称重装置与出口称重装置中测得硅片重量,计算经过该条轨道的每片硅片的减薄量。
作为本实用新型的改进,该清洗机还包括储备槽,所述储备槽与制绒槽相连,制绒酸液在制绒槽和储备槽间循环流动。
作为本实用新型的改进,该清洗机包括M条制绒轨道,其中5≤M≤15。
作为本实用新型的改进,所述制绒清洗机为水平滚轮式,硅片正面朝上放置在滚轮上,由滚轮带动前行进入清洗机内部。
作为本实用新型的优选,该清洗机包括5条制绒轨道。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的