[实用新型]一种金属蒸发设备有效
| 申请号： | 201520528517.8 | 申请日： | 2015-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN204857665U | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 王丕龙;王新强;李向坤 | 申请（专利权）人： | 青岛佳恩半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 龚燮英 |
| 地址： | 266000 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属 蒸发 设备 | ||
【权利要求书】：
1.一种金属蒸发设备，包括密封舱，其特征在于：所述密封舱的内底部中间安装有蒸发台，内底部外围安装有加热灯丝，内顶部安装有公转架；所述公转架向外放射安装有自转架，自转架的活动端连接有行星盘，行星盘上设有多个圆形通孔，圆形通孔顶部安装有盖板，圆形通孔底部安装有硅片。
2.如权利要求1所述的一种金属蒸发设备，其特征在于：所述自转架和行星盘的数量均为3个。
3.如权利要求1所述的一种金属蒸发设备，其特征在于：所述行星盘与自转架形成的角度为45度。
4.如权利要求1所述的一种金属蒸发设备，其特征在于：所述加热灯丝的最高加热温度为380摄氏度。
5.如权利要求1所述的一种金属蒸发设备，其特征在于：所述密封舱内安装有温度测试仪，所述温度测试仪的测试温度范围为0-400摄氏度。
6.如权利要求1所述的一种金属蒸发设备，其特征在于：所述硅片通过圆形通孔底部周围的4个旋转卡爪支撑在行星盘上。
7.如权利要求1所述的一种金属蒸发设备，其特征在于：所述盖板中部安装有磁性金属块，硅片中部粘附有磁铁。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
