[实用新型]一种金属蒸发设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种金属蒸发设备。

背景技术

在半导体制造工艺中，金属蒸发镀膜是一项非常重要的工艺，金属蒸发设备可以实现半导体器件背面金属的镀膜工作，即金属部分是在已经长好器件的硅片正面和背面镀上一层金属，为后面的封装做好准备。金属部分的要求是：一方面要符合封装的需要，另一方面，不能给器件带来损伤，以至于器件失效。

由于技术条件的限制，现有金属蒸发设备材料利用率较低，传统制作过程通常在功率半导体背面的杂质离子激活后再进行金属的制作，杂质离子的激活需要单独的高温工艺来完成。并且，现有技术存在无法被蒸发到金属的部位，加工后的芯片生成的分离器件，经常因为这一原因而不合格。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种金属蒸发设备，具有步骤简单，蒸发镀膜面积大，材料利用率高，对器件的损伤较小的特点。

本实用新型为解决其技术问题所采用的技术方案是：一种金属蒸发设备，包括密封舱，所述密封舱的内底部中间安装有蒸发台，内底部外围安装有加热灯丝，内顶部安装有旋转架；所述旋转架向外放射安装有自转架，自转架的活动端连接有行星盘，行星盘上设有多个圆形通孔，圆形通孔顶部安装有盖板，圆形通孔底部安装有硅片。

作为优选，所述自转架和行星盘的数量均为3个。提高了设备每次镀膜硅片的数量，增大了硅片镀膜面的面积，提高了设备工作效率。

作为优选，所述行星盘与自转架形成的角度为45度。较其他角度镀膜更加均匀。

作为优选，所述加热灯丝的最高加热温度为380摄氏度。高温蒸发可以在背面金属蒸发过程中，同步实现功率半导体背面杂质离子的有效激活，减少了单独高温工艺激活杂质离子的步骤，操作较之前更加简便。

作为优选，所述密封舱内安装有温度测试仪，所述温度测试仪的测试温度范围为0-400摄氏度。可随时监测设备内温度。

作为优选，所述硅片通过圆形通孔周围的4个旋转卡爪固定安装在行星盘上。使用卡爪固定方式，在起到较好固定作用的同时，可以最大化硅片镀膜面面积。

作为优选，所述盖板中部安装有磁性金属块，硅片中部粘附有磁铁。两者通过磁性吸附。在芯片加工工艺过程中，现有蒸发镀膜工艺无法对固定硅片的部位镀膜，而通过磁性吸附的手段，可使这些部位也蒸镀到金属，从而提高了加工后的芯片生成的分立器件的合格率。

本实用新型的有益效果是，步骤简单，蒸发镀膜面积大，材料利用率高，对器件的损伤较小。

附图说明

图1为本实用新型的整体结构示意图；

图2为本实用新型的硅片旋转卡爪固定方式仰视图。

图3位本实用新型的硅片磁性吸附固定方式主视图的放大图。

图中，1：密封舱；2：蒸发台；3：加热灯丝；4：旋转架；5：自转架；6：行星盘；7：盖板；8：硅片；9：温度测试仪；10：旋转卡爪；11：磁性金属块；12：磁铁。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步详细说明。

实施例1：

本实施例的一种金属蒸发设备，包括密封舱，所述密封舱的内底部中间安装有蒸发台，内底部外围安装有加热灯丝，内顶部安装有旋转架；所述旋转架向外放射安装有自转架，自转架的活动端连接有行星盘，行星盘上设有多个圆形通孔，圆形通孔顶部安装有盖板，圆形通孔底部安装有硅片。

自转架和行星盘的数量均为3个。提高了设备每次镀膜硅片的数量，增大了硅片镀膜面的面积，提高了设备工作效率。

所述行星盘与自转架形成的角度为45度。较其他角度镀膜更加均匀。

所述加热灯丝的最高加热温度为380摄氏度。高温蒸发可以在背面金属蒸发过程中，同步实现功率半导体背面杂质离子的有效激活，减少了单独高温工艺激活杂质离子的步骤，操作较之前更加简便。

所述密封舱内安装有温度测试仪，所述温度测试仪的测试温度范围为0-400摄氏度。可随时监测设备内温度。

所述硅片通过圆形通孔周围的4个旋转卡爪固定安装在行星盘上。使用卡爪固定方式，在起到较好固定作用的同时，增大了硅片镀膜面面积。在芯片加工工艺过程中，硅片在现有无法被蒸发到金属的部位蒸发到了金属，从而提高了加工后的芯片生成的分立器件的合格率。

实施例2：