[实用新型]一种晶圆传送装置有效
申请号: | 201520551122.X | 申请日: | 2015-07-27 |
公开(公告)号: | CN204792740U | 公开(公告)日: | 2015-11-18 |
发明(设计)人: | 王世伟 | 申请(专利权)人: | 成都嘉石科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/687 |
代理公司: | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人: | 胡川 |
地址: | 610000 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 传送 装置 | ||
技术领域
本实用新型属于半导体制造领域,具体涉及一种晶圆传送装置。
背景技术
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能之IC产品。在晶圆的制作过程中,需要多次进行传送,在晶圆传送过程中,现有的传片设备会出现晶圆托盘上的顶针撞坏损伤晶圆凹口的情况,导致产品的良率大大降低。
因此,现在亟需一种能解决上述问题的晶圆传送装置。
实用新型内容
本实用新型的目的在于针对现有技术的不足,提供一种晶圆传送装置,该晶圆传送装置可以很好地解决晶圆传送过程中晶圆凹口易被晶圆托盘顶针撞伤的问题。
为达到上述要求,本实用新型采取的技术方案是:提供一种晶圆传送装置,包括晶圆托盘,该晶圆托盘上设有呈三角形排列的第一顶针、第二顶针及第三顶针;第一顶针、第二顶针及第三顶针均包括金属轴承和固定设置于晶圆托盘上的金属螺杆,金属轴承套设于金属螺杆上部且可绕金属螺杆自由旋转,第一顶针的金属轴承外表面包裹一层缓冲层;第二顶针通过弹簧与晶圆托盘连接。
进一步地,缓冲层为橡胶材料或铁氟龙材料。
进一步地,缓冲层的厚度为0.1-0.2毫米。
进一步地,弹簧未压缩的长度为1.5厘米,最大压缩率为30%。
与现有技术相比,该晶圆传送装置具有的优点如下:通过对第一顶针包裹一层缓冲层和调整第二顶针弹簧的压缩率,减小了弹簧对于晶圆的弹射力度,从而减缓晶圆传送过程,减小了晶圆凹口与第一顶针的撞击力度,避免晶圆凹口被撞伤,降低了晶圆表面的污染物颗粒,提高了晶圆生产制造的良率,降低了生产成本,提升晶圆厂的效益。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解,构成本申请的一部分,在这些附图中使用相同的参考标号来表示相同或相似的部分,本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请,并不构成对本申请的不当限定。在附图中:
图1示出了根据本申请一个实施例的晶圆传送装置的结构示意图。
其中:1、第一顶针;2、晶圆凹口;3、晶圆托盘;4、晶圆;5、金属螺杆;6、第三顶针;7、金属轴承;8、弹簧;9、第二顶针。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚,以下结合附图及具体实施例,对本申请作进一步地详细说明。为简单起见,以下描述中省略了本领域技术人员公知的某些技术特征。
根据本实用新型的一个实施例,提供一种晶圆传送装置,如图1所示,包括晶圆托盘3,该晶圆托盘3上设有呈三角形排列的第一顶针1、第二顶针9及第三顶针6;第一顶针1、第二顶针9及第三顶针6均包括金属轴承7和固定设置于晶圆托盘3上的金属螺杆5,金属轴承7套设于金属螺杆5上部且可绕金属螺杆5自由旋转,第一顶针1的金属轴承7外表面包裹一层缓冲层,可以减小晶圆凹口2与第一顶针1的撞击力度;第二顶针9通过弹簧8与晶圆托盘3连接,该弹簧8具有收缩张弛状态,当该弹簧8由压缩到张弛状态,可以使晶圆凹口2卡进第一顶针1。
根据本实用新型的一个实施例,缓冲层为橡胶材料或铁氟龙材料。
根据本实用新型的一个实施例,缓冲层的厚度为0.1-0.2毫米。
根据本实用新型的一个实施例,弹簧8未压缩的长度为1.5厘米,最大压缩率为30%,相较50%的压缩率来说可以减小弹簧8对于晶圆4的弹射力度,从而减缓晶圆4传送过程,减小晶圆凹口2与第一顶针1的撞击力度。
以上所述实施例仅表示本实用新型的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能理解为对本实用新型范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型保护范围。因此本实用新型的保护范围应该以所述权利要求为准。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造