[实用新型]用于等离子体增强化学气相沉积的设备

说明书

技术领域

本实用新型属于非晶硅薄膜电池PECVD沉积工艺技术领域，具体而言，本实用新型涉及一种用于等离子体增强化学气相沉积的设备。

背景技术

等离子体增强化学气相沉积技术是通过将TCO玻璃基板预热到200℃以上，待玻璃基板温度稳定后，通入反应气体，气体在电场作用下被电离为等离子体，从而在电场的作用下附着在玻璃基板的表面上，进而在玻璃基板表面形成薄膜。现有的等离子增强化学气相沉积的设备多采用真空炉壁电阻式的加热方式对炉膛中玻璃基板进行加热，然而该加热方式通过真空腔室热辐射作用于玻璃基板时对玻璃基板温度影响较慢，并且大流量反应气体通入沉积腔室时为室温，而气体从腔室顶部流至底部受腔室加热温度逐渐变化，因此对玻璃基板顶部与底部温度均匀性有影响，而玻璃基板温度不均匀会造成沉积薄膜厚度及结构不均匀，尤其是在沉积硅锗薄膜及微晶硅薄膜时。

因此，现有的等离子体增强化学气相沉积的设备有待进一步改进。

实用新型内容

本实用新型旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本实用新型的一个目的在于提出一种用于等离子体增强化学气相沉积的设备，该设备可以有效提高沉积薄膜的厚度及结构的均匀性。

在本实用新型的一个方面，本实用新型提出了一种用于等离子体增强化学气相沉积的设备，根据本实用新型的实施例，该设备包括：

炉体，所述炉体内限定出容纳腔室；

加热装置，所述加热装置设在所述炉体的侧壁上；

沉积单元，所述沉积单元位于所述容纳腔室中，所述沉积单元顶部具有气体入口，所述沉积单元内限定出沉积腔室，所述沉积腔室包括多个彼此隔开的子沉积腔室，每一个所述子沉积腔室中具有两个平行间隔设置的玻璃基板，其中，所述玻璃基板中的一个与电极相连，所述玻璃基板中的另一个接地；以及

气体管道，所述气体管道穿过所述炉体与所述气体入口相连，所述气体管道包括位于所述容纳腔室外的第一管段和位于所述容纳腔室内的第二管段，所述第一管段和/或第二管段上具有预热组件。

由此，采用本实用新型实施例的用于等离子体增强化学气相沉积的设备可以有效避免大流量反应气体对玻璃基板温度的影响，从而提高玻璃基板温度的均匀性，进而显著提高沉积薄膜的厚度及结构的均匀性。

另外，根据本实用新型上述实施例的用于等离子体增强化学气相沉积的设备还可以具有如下附加的技术特征：

优选地，所述第一管段上具有第一预热组件，所述第一预热组件为电阻丝加热器，所述电阻丝加热器缠绕在所述第一管段上。由此。可以显著提高沉积薄膜的厚度及结构的均匀性。

优选地，所述第二管段上具有第二预热组件，所述第二预热组件为电阻丝加热器，所述电阻丝加热器缠绕在所述第二管段上。由此。可以进一步提高沉积薄膜的厚度及结构的均匀性。

优选地，所述第一管段上具有第一预热组件，所述第二管段上具有第二预热组件，所述第一预热组件和第二预热组件均为电阻丝加热器，并且所述电阻丝加热器分别独立地缠绕在所述第一管段和第二管段上。由此。可以进一步提高沉积薄膜的厚度及结构的均匀性。

优选地，所述第二管段上具有第二预热组件，所述第二预热组件为沿水平反向延伸的U型管。由此。可以进一步提高沉积薄膜的厚度及结构的均匀性。

优选地，所述第一管段上具有第一预热组件，所述第二管段上具有第二预热组件，所述第一预热组件为电阻丝加热器，所述电阻丝加热器缠绕在所述第一管段上，所述第二管段为沿水平反向延伸的U型管。由此。可以进一步提高沉积薄膜的厚度及结构的均匀性。

优选地，所述加热装置为电阻丝加热器。由此，可以显著提高玻璃基板的加热速率。

优选地，所述玻璃基板通过卡槽设置在所述子沉积腔室内。

本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。

附图说明

本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1是根据本实用新型一个实施例的用于等离子体增强化学气相沉积的设备的结构示意图；

图2是根据本实用新型又一个实施例的用于等离子体增强化学气相沉积的设备的结构示意图；

图3是根据本实用新型再一个实施例的用于等离子体增强化学气相沉积的设备的结构示意图；

图4是根据本实用新型再一个实施例的用于等离子体增强化学气相沉积的设备的结构示意图；