[实用新型]晶圆测试结构有效
申请号: | 201520567017.5 | 申请日: | 2015-07-30 |
公开(公告)号: | CN204834614U | 公开(公告)日: | 2015-12-02 |
发明(设计)人: | 万蔡辛 | 申请(专利权)人: | 北京卓锐微技术有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544;H01L21/66;B81B7/02 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯;张靖琳 |
地址: | 100191 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测试 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体测试领域,具体涉及一种晶圆测试结构。
背景技术
半导体集成电路的制造过程,大致上可分为晶圆制造、晶圆测试、封装及最后的测试。晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆(wafer),其尺寸例如为6英寸、8英寸或12英寸。晶圆制造是在晶圆上制作集成电路的过程,制作完成之后,晶圆上形成阵列排列的管芯(die)。然后在晶圆测试步骤以对管芯作电性测试,将不合格的管芯淘汰,并将合格的管芯从晶圆切割成个独立的管芯。之后,封装是将合格的管芯进行包装与打线,形成封装后的芯片,最后需要再进行电性测试以确保集成电路的质量。
现有技术的晶圆测试如图1所示,晶圆10包括阵列排布的若干管芯20、管芯之间通过划片槽隔开,晶圆测试设备按一定的顺序依次对管芯逐个进行电性测试,以找出不合格的管芯。现有技术的晶圆测试效率过低,费时过多。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型提供一种提高测试效率的晶圆测试结构。所述晶圆上包括阵列排布的管芯,所述管芯之间通过划片槽隔开,所述晶圆测试结构还包括设置在划片槽中的导电通路,所述导电通路将至少两个管芯电连接成为一个测试组,其中,根据所述测试组中的一个管芯的测试结果判断该组中的管芯是否合格。
优选地,所述测试组中的管芯数量小于等于10。
优选地,所述测试组中的管芯数量为4。
优选地,所述测试组中的管芯为2x2阵列排布。
优选地,所述测试组中的管芯数量为9。
优选地,所述测试组中的管芯为3x3阵列排布。
优选地,所述导电通路为掺杂的硅。
优选地,所述测试组中的管芯串联或并联。
优选地,所述测试组中的管芯为MEMS传感器。
优选地,所述导电通路作为测试和应用状态至少之一的电连接线。
本实用新型的晶圆测试结构将管芯分组测试,不合格的测试组全部淘汰或组内逐管芯测试以确定失效的管芯,提高了测试的效率。
附图说明
通过以下参照附图对本实用新型实施例的描述,本实用新型的上述以及其它目的、特征和优点将更为清楚,在附图中:
图1是现有技术的晶圆测试结构示意图;
图2是根据本实用新型第一实施例的晶圆测试结构的示意图;
图3是根据本实用新型第二实施例的晶圆测试结构的示意图;
图4是根据本实用新型第二实施例的晶圆测试结构的第一种划片方式示意图;以及
图5是根据本实用新型第二实施例的晶圆测试结构的第二种划片方式示意图。
具体实施方式
以下基于实施例对本实用新型进行描述,但是本实用新型并不仅仅限于这些实施例。在下文对本实用新型的细节描述中,详尽描述了一些特定的细节部分。对本领域技术人员来说没有这些细节部分的描述也可以完全理解本实用新型。为了避免混淆本实用新型的实质,公知的方法、过程、流程、元件和电路并没有详细叙述。此外,本领域普通技术人员应当理解,在此提供的附图都是为了说明的目的,并且附图不一定是按比例绘制的。
同时,应当理解,在以下的描述中,“电路”是指由至少一个元件或子电路通过电气连接或电磁连接构成的导电回路。当称元件或电路“连接到”另一元件或称元件/电路“连接在”两个节点之间时,它可以是直接耦接或连接到另一元件或者可以存在中间元件,元件之间的连接可以是物理上的、逻辑上的、或者其结合。除非上下文明确要求,否则整个说明书和权利要求书中的“包括”、“包含”等类似词语应当解释为包含的含义而不是排他或穷举的含义;也就是说,是“包括但不限于”的含义。
在本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。此外,在本实用新型的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上。
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