[实用新型]一种刻蚀硅片的水膜间歇去水装置有效
| 申请号： | 201520581461.2 | 申请日： | 2015-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN204966450U | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | 何晨旭;孔祥照;朱洁;朱姚培 | 申请（专利权）人： | 江苏荣马新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C23F1/08 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 张惠忠 |
| 地址： | 223700 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 硅片 间歇 装置 | ||
1.一种刻蚀硅片的水膜间歇去水装置，其特征在于：包括上部的滤水装置（1）和下部的压辊（2），滤水装置（1）和压辊（2）之间为硅片滤水过道；所述滤水装置（1）朝向硅片的一面具有条形槽，在条形槽内设置有若干连续的转扇（3），所述转扇（3）又包括连接在条形槽上的转轴（31）以及等距分布在转轴（31）上的扇叶（32），位于条形槽内端处的转扇（3）由电机带动转动，相邻的两个转扇（3）之间相互由扇叶（32）带动转动，所述扇叶（32）部分位于条形槽外；所述压辊（2）的轴向上开设线槽（7），在线槽（7）内设置条形凸起（8），所述条形凸起（8）与线槽（7）内底部之间具有弹簧。
2.根据权利要求1所述的一种刻蚀硅片的水膜间歇去水装置，其特征在于：所述扇叶（32）的底部设置条状缺口，在条状缺口内设置有辊条（4），所述辊条（4）沿扇叶（32）的长度方向设置。
3.根据权利要求2所述的一种刻蚀硅片的水膜间歇去水装置，其特征在于：所述辊条（4）的两端分别由辊轴连接在条状缺口内两端，条状缺口内两端分别设置有辊轴槽，所述辊轴槽内具有包裹辊轴的限位轴套（5），所述限位轴套（5）的上部和下部均设置有弹簧。
4.根据权利要求3所述的一种刻蚀硅片的水膜间歇去水装置，其特征在于：所述辊条（4）外围一周设置有纳水间隙（6），所述纳水间隙（6）的间隙为1mm-3mm。
5.根据权利要求3所述的一种刻蚀硅片的水膜间歇去水装置，其特征在于：所述辊条（4）采用可塑材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
