[实用新型]一种刻蚀硅片的水膜间歇去水装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种用于硅片水膜的去水装置，特别是一种刻蚀硅片的水膜间歇去水装置。

背景技术

所谓刻蚀，实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。随着微制造工艺的发展；广义上来讲，刻蚀成了通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称，成为微加工制造的一种普适叫法，而湿法刻蚀是一个纯粹的化学反应过程，是指利用溶液与预刻蚀材料之间的化学反应来去除为被掩蔽膜材料掩蔽的部分而达到刻蚀目的。

由于该工艺流程是对于硅片的扩散面进行边缘刻蚀，因而

在非扩散面加上水膜是防止硅片过刻的重要途径，而在实际生产过程中，硅片上的水膜会溢出在刻蚀槽造成刻蚀槽内酸性溶液浓度变小，为了达到要求的浓度，要不断的增加供酸量，无形中增加了生产成本。

专利号为201220489669.8的了一种改善刻蚀水膜均匀度的装置，该装置包括传送带、塑胶辊和电机，所述塑胶辊设置在传送带上方，塑胶辊两端设有支架，所述电机设置在所述塑胶辊的一端用于驱动塑胶辊转动。本实用新型结构简单，设置在喷水器后，可以使水膜均匀得覆盖在硅片表面，改善水膜均匀度，进而避免硅片边缘过刻；改方案虽然一定程度上将水膜平均分布在硅片上，但是其实际实施起来比较困难，单纯靠塑胶辊压过传送带上的硅片并挤压硅片上的水膜，并不能保证多余的水不会流入刻蚀槽，挤压出水的流向并不能得到控制。

实用新型内容

本实用新型需要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足，而提供一种刻蚀硅片的水膜间歇去水装置。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：

一种刻蚀硅片的水膜间歇去水装置，包括上部的滤水装置和下部的压辊，滤水装置和压辊之间为硅片滤水过道；所述滤水装置朝向硅片的一面具有条形槽，在条形槽内设置有若干连续的转扇，所述转扇又包括连接在条形槽上的转轴以及等距分布在转轴上的扇叶，位于条形槽内端处的转扇由电机带动转动，相邻的两个转扇之间相互由扇叶带动转动，所述扇叶部分位于条形槽外；所述压辊的轴向上开设线槽，在线槽内设置条形凸起，所述条形凸起与线槽内底部之间具有弹簧。

作为更进一步的优选方案，所述扇叶的底部设置条状缺口，在条状缺口内设置有辊条，所述辊条沿扇叶的长度方向设置。

作为更进一步的优选方案，所述辊条的两端分别由辊轴连接在条状缺口内两端，条状缺口内两端分别设置有辊轴槽，所述辊轴槽内具有包裹辊轴的限位轴套，所述限位轴套的上部和下部均设置有弹簧。

作为更进一步的优选方案，所述辊条外围一周设置有纳水间隙，所述纳水间隙的间隙为1mm-3mm。

作为更进一步的优选方案，所述辊条采用可塑材料。

有益效果

与现有技术相比，本实用新型的一种刻蚀硅片的水膜间歇去水装置，硅片镀完水膜后，经过滤水装置和压辊之间的硅片滤水过道，可以将硅片表面多余的水分给去除，达到滤水的效果，避免多余的水进入硅片的刻蚀槽降低酸度，而具有条形凸起的压辊在转动时可以间歇缩小硅片与转扇的间距，可将已进入刻蚀槽表面的积水去除，防止进一步融入酸性溶液，具体具有以下效果：

1.上部的滤水装置和下部的压辊形成的硅片滤水过道，可以使硅片经过该处时，将硅片水膜上多余的水给挤压出。

2.相邻的转扇之间相互带动转动，通过转扇的转动，将挤压出的多余的水给甩出硅片表面，避免水分集中后流向刻蚀槽，影响刻蚀槽内酸浓度。

3.辊条可以增强扇叶在与硅片表面接触时的缓冲，避免转扇在转动时对硅片的磨损，另一方面，辊条上的纳水间隙可以增加吸收的水分量，加强去水效率。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图；

图2是转扇仰视图；

图3是转扇的结构示意图；

图4是限位轴套的结构示意图；

图5是压辊的截面图；

其中，1-滤水装置，2-压辊，3-转扇，31-转轴，32-扇叶，4-辊条，5-限位轴套，6-纳水间隙，7-线槽，8-条形凸起。

具体实施方式

下面结合附图详细说明本实用新型的优选技术方案。

如图1-5所示，本实用新型的一种刻蚀硅片的水膜间歇去水装置，包括上部的滤水装置1和下部的压辊2，滤水装置1和压辊2之间为硅片滤水过道，硅片滤水过道的间隙可以根据需要而改变间隙宽度，该间隙可以过滤下硅片上多余的水；