[实用新型]触控面板与触控显示设备

权利要求书

1.一种触控面板，其特征在于，该触控面板包括：

盖板；

折射率匹配层，位于该盖板下；

触控装置，位于该折射率匹配层下；以及

光学匹配层，位于该触控装置下，

其中该折射率匹配层包括第一低折射率介电层与第一高折射率介电层，其中该第一低折射率介电层直接接触该触控装置的上表面，且该第一高折射率介电层位于该第一低折射率介电层与该盖板之间，

其中该光学匹配层包括第二低折射率介电层与第二高折射率介电层，其中该第二低折射率介电层直接接触该触控装置的下表面，并位于该触控装置与该第二高折射率介电层之间，

其中该第二高折射率介电层的方阻值在照射紫外光后大于10⁹奥姆每方。

2.如权利要求1所述的触控面板，其特征在于，该触控装置包括：

感测电极区；以及

金属走线区，位于该感测电极区外围。

3.如权利要求2所述的触控面板，其特征在于，该触控面板还包括透明保护层，位于该光学匹配层下，且该透明保护层仅对应该金属走线区而不对应该感测电极区。

4.如权利要求3所述的触控面板，其特征在于，该透明保护层包括厚度介于20nm至30nm的光油。

5.如权利要求2所述的触控面板，其特征在于，该感测电极区包含厚度介于20nm至30nm的透明导电图案。

6.如权利要求5述的触控面板，其特征在于，该透明导电图案的折射率大于该第一低折射率介电层与该第二低折射率介电层的折射率，该第一高折射率介电层的折射率大于该第一低折射率介电层与该盖板的折射率，且该第二高折射率介电层的折射率大于该第二低折射率介电层的折射率。

7.如权利要求1所述的触控面板，其特征在于，该第一低折射率介电层的厚度介于25nm至35nm且折射率介于1.2至1.5之间，且该第一高折射率介电层的厚度介于5nm至15nm且折射率介于1.8至2.5之间。

8.如权利要求1所述的触控面板，其特征在于，该第一低折射率介电层包括氧化硅，且该第一高折射率介电层包括氧化铌或氮化硅。

9.如权利要求1所述的触控面板，其特征在于，该第二低折射率介电层的厚度介于15nm至35nm且折射率介于1.2至1.5之间，且该第二高折射率介电层的厚度介于10nm至20nm且折射率介于1.8至2.5之间。

10.如权利要求1所述的触控面板，其特征在于，该第二低折射率介电层包括氧化硅，且该第二高折射率介电层包括氮化硅。

11.如权利要求1所述的触控面板，其特征在于，该触控面板还包括抗反射层，位于该盖板上，且该抗反射层的折射率大于该盖板。

12.一种触控显示设备，其特征在于，该触控显示设备包括：

权利要求1所述的触控面板；以及

显示面板，位于该触控面板下，

其中该触控装置包括：

感测电极区；以及

金属走线区，位于该感测电极区外围；

其中该显示面板包括：

显示区，实质上对应该感测电极区；以及

边框区，对应该金属走线区。

13.如权利要求12所述的触控显示设备，其特征在于，该触控显示设备还包括光学胶，贴合该触控面板与该显示面板，且该光学胶直接接触该第二高折射率介电层。