[实用新型]触控面板与触控显示设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及触控面板，特别是涉及其结构与包含其的触控显示设备。

背景技术

触控面板已广泛应用于家庭用品、通讯装置、及电子信息装置等电子产品，逐渐取代实体键盘与鼠标等现有的输入接口，并提供有效率的操作接口。目前的触控面板已发展出直接将感测电极制作形成于保护盖板上的单片基板结构。此类结构的触控面板虽轻薄，但若感测电极为蚀刻图案时，蚀刻区域与非蚀刻区域间的光反射不同，造成触控面板的外观具有色差等光学问题。因此在触控面板中设有光学补偿层来改善光学问题。

然而，目前具有光学补偿层的触控面板经紫外光环境下使用有机会产生触控不灵敏的问题，因此亟需新的触控面板结构以克服上述问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种触控面板与触控显示设备，以解决目前具有光学补偿层的触控面板在紫外光环境下使用会产生触控不灵敏的问题。

为达上述目的，本实用新型提供的触控面板，包括：盖板；折射率匹配层，位于盖板下；触控装置，位于折射率匹配层下；以及光学匹配层，位于触控装置下，其中折射率匹配层包括第一低折射率介电层与第一高折射率介电层，其中第一低折射率介电层直接接触触控装置的上表面，且第一高折射率介电层位于第一低折射率介电层与盖板之间，其中光学匹配层包括第二低折射率介电层与第二高折射率介电层，其中第二低折射率介电层直接接触触控装置的下表面，并位于触控装置与第二高折射率介电层之间，其中第二高折射率介电层的方阻值在照射紫外光后大于10⁹奥姆每方。

该触控装置包括：感测电极区；以及金属走线区，位于该感测电极区外围。

该触控面板还包括一透明保护层位于该光学匹配层下，且该透明保护层仅对应该金属走线区而不对应该感测电极区。

该透明保护层包括厚度介于20nm至30nm的光油。

该感测电极区包含厚度介于20nm至30nm的透明导电图案。

该透明导电图案的折射率大于该第一低折射率介电层与该第二低折射率介电层的折射率，该第一高折射率介电层的折射率大于该第一低折射率介电层与该盖板的折射率，且该第二高折射率介电层的折射率大于该第二低折射率介电层的折射率。

该第一低折射率介电层的厚度介于25nm至35nm且折射率介于1.2至1.5之间，且该第一高折射率介电层的厚度介于5nm至15nm且折射率介于1.8至2.5之间。

该第一低折射率介电层包括氧化硅，且该第一高折射率介电层包括氧化铌或氮化硅。

该第二低折射率介电层的厚度介于15nm至35nm且折射率介于1.2至1.5之间，且该第二高折射率介电层的厚度介于10nm至20nm且折射率介于1.8至2.5之间。

该第二低折射率介电层包括氧化硅，且该第二高折射率介电层包括氮化硅。

该触控面板还包括一抗反射层位于该盖板上，且该抗反射层的折射率大于该盖板。

本实用新型另提供的触控显示设备，包括：上述的触控面板；以及显示面板，位于触控面板下，其中触控装置包括：感测电极区；以及金属走线区，位于感测电极区外围；其中显示面板包括：显示区，实质上对应感测电极区；以及边框区，对应金属走线区。

该触控显示设备还包括一光学胶贴合该触控面板与该显示面板，且该光学胶直接接触该第二高折射率介电层。

本实用新型的优点在于，由于本实用新型的第二高折射率介电层在照射紫外光后方阻值仍大于10⁹奥姆每方，减少光学胶和第二高折射率介电层照射紫外光后所产生的自由载流子对后端处理器侦测触控装置时的影响，增加触控的灵敏度。

附图说明

图1为本实用新型一实施例中，触控面板的剖视图；

图2A至图2D为本实用新型一实施例中，触控装置的制作工艺上视图；

图3为本实用新型一实施例中，触控面板的剖视图；

图4为本实用新型一实施例中，触控显示设备的剖视图；

图5为本实用新型一实施例中，盖板、反射层、与抗脏污层的复合结构对不同波长的光的反射率的示意图；

图6为本实用新型一实施例中，盖板与折射率匹配层的复合结构对不同波长的光的反射率的示意图；

图7为本实用新型一实施例中，透明导电图案与光学匹配层的复合结构对不同波长的光的反射率的示意图。

符号说明

10触控面板

21A、23A触控电极

21B、23B连接电极

27A、27B接触孔

24金属走线