[实用新型]一种电池片衰减台有效
| 申请号： | 201520615579.2 | 申请日： | 2015-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN204885096U | 公开（公告）日： | 2015-12-16 |
| 发明（设计）人： | 姚华 | 申请（专利权）人： | 浙江艾能聚光伏科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人： | 韩洪 |
| 地址： | 314300 浙江省嘉*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电池 衰减 | ||
【权利要求书】：
1.一种电池片衰减台，其特征在于：包括支撑架(1)、卤素灯(2)、钢化玻璃层(3)，所述支撑架(1)为方形框架，支撑架(1)周边有四个支撑脚(4)，支撑架(1)各侧面均固定有若干支撑杆(5)，支撑架(1)底部支撑杆(5)上固定有横杆(6)，所述卤素灯(2)安装在横杆(6)上，所述支撑架(1)顶部安装有第一钢化玻璃层(7)，所述第一钢化玻璃层(7)顶部安装有四个支撑柱(8)，所述支撑柱(8)顶部安装有第二钢化玻璃层(9)。
2.如权利要求1所述的一种电池片衰减台，其特征在于：所述横杆(6)数量为二，两条横杆(6)互相平行，所述卤素灯(2)数量为四，卤素灯(2)两两固定在横杆(6)上呈矩形阵列。
3.如权利要求1所述的一种电池片衰减台，其特征在于：所述支撑杆(5)数量有三根，支撑杆(5)均匀分布在支撑架(1)侧面上，支撑架(1)上部的两根支撑杆(5)之间安装有防护板(10)。
4.如权利要求1所述的一种电池片衰减台，其特征在于：所述第一钢化玻璃层(7)的形状与支撑架(1)顶部截面形状相似，第一钢化玻璃层(7)的面积约为支撑架(1)顶部截面积的3/2，所述第二钢化玻璃层(9)与第一钢化玻璃层(7)形状大小完全相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
