[实用新型]一种电池片衰减台有效
申请号: | 201520615579.2 | 申请日: | 2015-08-14 |
公开(公告)号: | CN204885096U | 公开(公告)日: | 2015-12-16 |
发明(设计)人: | 姚华 | 申请(专利权)人: | 浙江艾能聚光伏科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人: | 韩洪 |
地址: | 314300 浙江省嘉*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电池 衰减 | ||
【技术领域】
本实用新型涉及电池片设备的技术领域,特别是一种电池片衰减台的技术领域。
【背景技术】
全球太阳能背景,当电力、煤炭、石油等不可再生能源频频告急,能源问题日益成为制约国际社会经济发展的瓶颈时,越来越多的国家开始实行″阳光计划″,开发太阳能资源,寻求经济发展的新动力。太阳能作为一种可再生的新能源,越来越引起人们的关注。太阳能光伏产业的发展前景广阔,其在能源领域具有重要的战略地位。而生产太阳能产品最关键的硅片,硅片的质量直接决定了太阳能电池片的效率。硅片具有衰减效应。在制作标片的过程中,因为电池片的衰减而导致电性能差异较大,电性能的衰减对标片的使用造成很不稳定的影响,因为电池片自身的衰减而导致的校准和测试的不稳定现象。
【实用新型内容】
本实用新型的目的就是解决现有技术中的问题,提出一种电池片衰减台,能够使电池片处于长时间的模拟太阳光照射下,进而对电池片进行衰减,将电池片的电性能衰减到稳定的状态,有效保证标片的使用过程中就不会出现因为电池片自身的衰减而导致的校准和测试的不稳定现象。
为实现上述目的,本实用新型提出了一种电池片衰减台,包括支撑架、卤素灯、钢化玻璃层,所述支撑架为方形框架,支撑架周边有四个支撑脚,支撑架各侧面均固定有若干支撑杆,支撑架底部支撑杆上固定有横杆,所述卤素灯安装在横杆上,所述支撑架顶部安装有第一钢化玻璃层,所述第一钢化玻璃层顶部安装有四个支撑柱,所述支撑柱顶部安装有第二钢化玻璃层。
作为优选,所述横杆数量为二,两条横杆互相平行,所述卤素灯数量为四,卤素灯两两固定在横杆上呈矩形阵列。
作为优选,所述支撑杆数量有三根,支撑杆均匀分布在支撑架侧面上,支撑架上部的两根支撑杆之间安装有防护板。
作为优选,所述第一钢化玻璃层的形状与支撑架顶部截面形状相似,第一钢化玻璃层的面积约为支撑架顶部截面积的3/2,所述第二钢化玻璃层与第一钢化玻璃层形状大小完全相同。
本实用新型的有益效果:本实用新型通过将电池片放在电池片衰减台上,能够使电池片处于长时间的模拟太阳光照射,进而对电池片进行衰减,将电池片的电性能衰减到稳定的状态,有效保证标片的使用过程中就不会出现因为电池片自身的衰减而导致的校准和测试的不稳定现象,侧面的防护板可以有效防止光线散射对人的伤害,第一钢化玻璃层和第二钢化玻璃层之间的空隙可以有效散热,防止卤素灯照射导致的温度过高烧坏电池片。
本实用新型的特征及优点将通过实施例结合附图进行详细说明。
【附图说明】
图1是本实用新型一种电池片衰减台的主视图。
图中:1-支撑架、2-卤素灯、3-钢化玻璃层、4-支撑脚、5-支撑杆、6-横杆、7-第一钢化玻璃层、8-支撑柱、9-第二钢化玻璃层、10-防护板。
【具体实施方式】
参阅图1,本实用新型一种电池片衰减台,包括支撑架1、卤素灯2、钢化玻璃层3,所述支撑架1为方形框架,支撑架1周边有四个支撑脚4,支撑架1各侧面均固定有若干支撑杆5,支撑架1底部支撑杆5上固定有横杆6,所述卤素灯2安装在横杆6上,所述支撑架1顶部安装有第一钢化玻璃层7,所述第一钢化玻璃层7顶部安装有四个支撑柱8,所述支撑柱8顶部安装有第二钢化玻璃层9,所述横杆6数量为二,两条横杆6互相平行,所述卤素灯2数量为四,卤素灯2两两固定在横杆6上呈矩形阵列,所述支撑杆5数量有三根,支撑杆5均匀分布在支撑架1侧面上,支撑架1上部的两根支撑杆5之间安装有防护板10,所述第一钢化玻璃层7的形状与支撑架1顶部截面形状相似,第一钢化玻璃层7的面积约为支撑架1顶部截面积的3/2,所述第二钢化玻璃层9与第一钢化玻璃层7形状大小完全相同。
本实用新型工作过程:
本实用新型一种电池片衰减台在工作过程中,将电池片放在第二钢化玻璃层上9,打开卤素灯2,能够使电池片处于模拟太阳光照射,侧面的防护板10可以有效防止光线散射对人的伤害,第一钢化玻璃层7和第二钢化玻璃层9之间的空隙可以有效散热,防止卤素灯2照射导致的温度过高烧坏电池片。本实用新型通过将电池片放在电池片衰减台上,能够使电池片处于长时间的模拟太阳光照射,进而对电池片进行衰减,将电池片的电性能衰减到稳定的状态,有效保证标片的使用过程中就不会出现因为电池片自身的衰减而导致的校准和测试的不稳定现象。
上述实施例是对本实用新型的说明,不是对本实用新型的限定,任何对本实用新型简单变换后的方案均属于本实用新型的保护范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造